1. 研究目的与意义（文献综述）

随着电子元器件小型化以及新型电子元器件的发展需要，要求人们实现电子元器件概念上的突破，这在很大程度上推动了材料的研究从块体材料向薄膜材料的转变^[1]。其中压电陶瓷薄膜除具有尺寸小、质量轻及易与集成电路（ic）集成外，还具有驱动电压低、响应速度快等一系列优点 ^[2]，作为一类重要的功能陶瓷薄膜成为当前国内外研究的热门领域。

钙钛矿结构的锆钛酸铅（pbzr_xti_1-xo₃，pzt）压电薄膜与无铅压电陶瓷薄膜相比具有较大的压电系数、优异的介电性能、较小的漏电流密度等优点，因此在某些微电子领域仍是无铅压电陶瓷薄膜不可替代的，如铁电存储器、振动能量采集器等。

磁控溅射技术利用高速运动的惰性荷能离子把靶材上的原子（或分子）轰击下来沉积在基片上形成薄膜 ^[3]。它作为一种制备薄膜的常用技术，具有高速（镀膜速度快）和低温（镀膜时衬底温度低）的优点，被普遍和成功地应用于许多方面，特别是在微电子、光学薄膜和材料表面处理领域中，用于薄膜沉积和表面覆盖层制备 ^[4]。目前，已成功采用磁控溅射方法制备出pzt等压电薄膜^[5][6][7]。在磁控溅射制备压电薄膜的过程中，薄膜的好坏和沉积参数、退火工艺等许多参数有关 ^[8][9]，其中溅射所用的靶材作为压电薄膜的物质源，对压电薄膜的化学成分、致密性和结晶等性能有直接影响，高质量的靶材是获得高质量薄膜的关键。因此，研制性能优良的靶材对压电陶瓷薄膜的制备具有重要意义。

2. 研究的基本内容与方案

2.1基本内容

1、工艺规律性研究：以pzt-5粉末为原材料，采用固相烧结法制备pzt基压电陶瓷靶材，探究烧结时间、烧结温度等工艺参数对靶材结构的影响规律。

2、靶材的制备：基于规律性研究，优化各工艺参数，最终获得一种符合磁控溅射要求且能制备出性能优异的pzt薄膜的靶材。

3. 研究计划与安排

第1－3周：查阅相关文献资料，完成英文翻译。明确研究内容，了解研究所需原料、仪器和设备。确定技术方案，并完成开题报告；

第4—9周：按照设计方案，制备pzt基压电陶瓷靶材；

第10－12周：采用xrd、fe-sem等测试技术对pzt基压电陶瓷靶材的物相、显微结构进行测试；

4. 参考文献（12篇以上）

[1] 陆雷, 肖定全, 田建华, 等. 无铅压电陶瓷薄膜的制备及应用研究[j].功能材料,2009(05):705-708.

[2] 曹洋, 朱孔军, 裘进浩, 等. 铌酸钾钠无铅压电陶瓷薄膜的制备方法研究[j].材料导报,2011(09):33-38.

[3] 陈祝. 溶胶—凝胶改进工艺制备锆钛酸铅（pbzr_xti_（1-x）o₃）铁电薄膜的结构与性能研究[d].电子科技大学, 2006.