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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

负电子亲和势（NEA）半导体意味着半导体的表面处的真空能级在半导体导带最小值以下，这是非常罕见的特性。在NEA之下，由于表面没有阻挡层，导带内部的二次电子很容易从半导体表面发射。 NEA半导体的二次电子发射系数δ一般远远超过具有正电子亲和势的发射体，因为电子在导带最小值（在μm范围内）的电子扩散长度比热电子的平均自由行程数量级要大（几纳米。因此，NEA半导体是优秀的二次电子发射体，应用于真空管应用，电子信息技术，电流放大器等。展开因此，NEA半导体是一个非常重要的课题。

国内外研究现状

NEA半导体具有二次电子发射（SEE）的一些特性，如最大二次电子发射系数δm较大，E_pmax较大（至少几keV），较大的1 /α（至少几百）等。其中1 /α是二次电子的平均逸出深度，E_pmax是δ达到δm时的E_p; E_p是原电子的入射能量。许多作者在实验中研究了NEA半导体，但很少有学者从理论上研究NEA半导体。

2. 研究的基本内容

根据原电子射程R ，SEE参数公式和NEA半导体SEE的工艺和特性公式，分别推导出NEA半导体在0.1keV≤E_p≤10keV和10keV≤E_p≤100keV的δ的通用公式。根据假设：10E_pmax≥E_p≥0.5E_pmaxNEA半导体的的K（E_p，ρ，Z）近似等于5keV≥E_pmax≥2keV的K（E_p，ρ，Z）_C，R，分别推导出0.1keV≤E_p≤10keV，10keV≤E_p≤100keVδ的通式和实验数据，10E_pmax≥E_p≥0.5时δ的特殊公式，5keV≥E_pmax≥2keV的NEA半导体的E_pmax;其中ρ和Z分别是材料密度和原子序数。推导出的特殊公式可以用来计算5keV≥E_pmax≥2keV的相应NEA半导体的10E_pmax≥E_p≥0.5E_pmax处的δ。因此，可以得出结论，5keV≥Epmax≥2keV的NEA半导体的K（E_p，ρ，Z）近似等于10E_pmax≥E_p≥0.5E_pmaxNEA半导体的 K（E_p，ρ，Z）_C的假设是正确的，成功地推导出了内二次电子到达5keV≥E_pmax≥2keV的NEA半导体表面时逸出到真空的概率公式。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

根据原电子射程r、二次电子发射系数δ的参数之间的关系与负电子亲和势（nea）半导体二次电子发射的过程和特性，分别推导出原电子入射能量范围为0.1 kev≤e_p≤10kev和10kev≤e_p≤100kev的负电子亲和势（nea）半导体的二次电子发射系数的通式; e_p是原电子的入射能量。

三月初到三月中旬，查阅资料，完成背景知识前期介绍部分的撰写；三月中旬到四月初完成公式的推导和证明；四月初到四月中旬完成编程和画图部分；四月中旬到五月初，完成论文初稿。

根据5kev≥epmax≥2kev的nea半导体的see特性，nea半导体特性和实验数据推导出了在0.1kev≤ep≤10kev和10kev≤ep≤100kev条件下δ的通用公式，对于在10epmax≥ep≥0.5处的特殊公式δ，推导出5kev≥epmax≥2kev的几个nea半导体的epmax，并且分别证明是真实的;其中epmax是δ达到最大二次电子产额的ep。

4. 参考文献

[1] t. yamada, t. masuzawa, h. mimura et al, j. phys. d: appl. phys. 49, 045102(2016).

[2] k. m. o’donnell, m.t. edmonds, j. ristein et al, j. phys.: condens. matter 26,395008(2014).

[3] j. e. yater, a. shih, j. appl. phys. 87, 8103(2000).