文 献 综 述

1 引言

行波管是一种重要的微波器件，具有大功率、高增益、宽频带和较长寿命等特点，与半导体器件相比有较大的优越性，并被广泛使用于卫星通讯、雷达等重点工程。耦合腔行波管是大功率行波管中重要的一种。由于耦合腔行波管自身结构特点，其很容易产生各种振荡，而影响行波管的稳定工作，因此，开发用于抑制各种振荡的微波衰减材料具有重大意义。

碳化硅（SiC）由于化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好，因其独特的物理性质和化学性质，可以与多种基质相复合，形成具有优异性能的SiC基复相材料。研究发现AlN与SiC之间有极好的晶化相容性，二者在一定条件下能形成完全固溶体；随着固溶体的形成，材料的致密性能，导热性能均得到较大程度的改善和提高[1-2]。以前的研究大多是利用机械混合法制备AlN-SiC固溶体，这种传统的工艺有很大的缺陷和局限性，难以形成AlN-SiC固溶体；而采用热压烧结合成工艺比较容易形成AlN-SiC固溶体。

2 本课题研究的目的

国内外对SiC和AlN单独进行性能研究较多，对SiC和AlN两者进行复合的材料也多侧重于机械性能。而国内报道的衰减陶瓷衰减量都比较小，衰减频率范围不一。在课题组已开展的研究工作基础上，本文主要进行SiC-AlN体系复相衰减材料的研究，其中SiC质量比在60wt%以上。

SiC是性能优异的宽频微波衰减剂。但是研究发现AlN-SiC复相材料，随着SiC含量的增加，衰减量不断增大，但由于第二相的引入会降低其致密性能和导热性能。本文采用热压烧结制备SiC-AlN复相材料，研究衰减剂SiC含量、助剂配比及其含量以及烧结工艺变化对复相材料烧结性能、微观结构、导热性能、微波衰减性能、导电性能和的影响，探索了高SiC含量的复相材料的致密化烧结。

本课题计划制备SiC-AlN复相陶瓷微波衰减材料，其中SiC为基体。由于SiC陶瓷难以烧结致密，所以在烧结过程中我们需要选取合适的烧结助剂，在较低的温度下制备出高碳化硅含量，高致密性的SiC-AlN复相陶瓷微波衰减材料。然后再通过XRD、SEM，系统研究复相体系中SiC含量、烧结助剂含量和烧结温度对物相组成、显微结构等性能的影响。

3 微波衰减材料综述

3.1微波衰减材料的简介