1. 毕业设计（论文）主要内容：

研究不同温度和压强对（110）单晶硅基板上激光化学气相沉积法外延生长碳化硅薄膜的影响。探究外延碳化硅薄膜的生长过程和生长模式，探索适合外延生长出不同择优取向的外延碳化硅薄膜的条件。研究沉积时间对外延碳化硅薄膜择优取向的影响，并结合相关理论对激光化学气相沉积法外延生长碳化硅薄膜的机理进行阐述。整个过程采用XRD, FESEM, AFM,Raman, TEM等手段进行材料表征。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1.查阅不少于20篇的相关资料，其中英文文献不少于10篇，完成开题报告，并完成不少于5000字的英文文献翻译；

2.不同温度和压强对外延碳化硅薄膜的生长的影响，结合有机物前躯体六甲基二硅烷分解模式，阐述激光化学气相沉积外延碳化硅薄膜的生长机理；

3.探究（110）单晶硅基板上适合生长不同择优取向外延碳化硅薄膜的条件，并对碳化硅的缺陷和质量进行表征；

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

1.第1－2周：查阅相关文献资料，明确研究内容，确定方案，完成开题报告；

2.第3－9周：在（110）单晶硅基板上制备外延碳化硅薄膜，研究不同温度和压强对外延碳化硅薄膜的生长的影响，并结合测试手段及时对其结构进行表征表征和分析；

3.第10－14周：研究不同沉积时间对外延碳化硅薄膜择优取向的影响，完成该部分后，结合相关理论对生长机理进行阐述；

4. 主要参考文献

[1] j.-h.boo, s.a. ustin, w. ho. low-temperature epitaxial growth of cubic sic thinfilms on si(111) using supersonic molecular jet of single source precursors[j].thin solid films, 1999, 343: 650-655.

[2] w.-y. chen, c. chen, j. hwang, et al. growthof 3c-sic on si (100) by low pressure chemical vapor deposition using amodified four-step process[j]. crystal growth and design, 2009, 9(6):2616-2619.

[3] m. roland. materials science: silicon carbide in contention[j]. nature,2004, 430(7003): 974-975.