本文研究主题是硅片的化学机械抛光特性，化学机械抛光技术(Chemical Mechanical Polishing，CMP)是集成电路制造中获得全局平坦化的一种手段，这种工艺的设计，就是专门为了能够获得既平坦、又无划痕和杂质玷污的表面。

1965年，美国的科学家Monsanto首次由提出这一方法，最初使用此法是为了获取高质量的玻璃表面。

CMP技术将磨粒的机械研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，可实现超精密无损伤表面加工，能满足集成电路特征尺寸在0.35μm以下的全局平坦化要求。

【1】硅片需要许多具有良好表面处理和无损伤表面的特性技术。

非机械抛光(CMP)工艺，以化学试剂和磨料颗粒为主要成分，以晶圆片为基体，对晶圆片进行抛光。

但是会引入有毒有害物质，增加同轴污染。

[2] CMP属于化学作用和机械作用相结合的技术，过程较为复杂，有众多影响因素。

在这个物理化学过程中，浆体与硅片发生化学反应，在表面形成一层软层，浆体中的磨粒与抛光垫在硅片表面反复研磨、滚动或滑动。

这两种工艺结合起来，在保持高材料去除率的同时，实现了硅片的高表面质量。

随着硅片尺寸的增大和集成电路芯片特征尺寸的缩小，CMP工艺面临着新的挑战。