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吸附对过渡金属硫族化合物结构和性质的影响任务书

 2020-06-28 20:12:26  

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

虽然石墨烯具有超高的载流子迁移率和优异的电学性能,但是石墨烯是零带隙的半导体,阻碍了石墨烯在半导体器件方面的应用。

与石墨烯的零带隙相比较,二维过渡金属硫族化合物(tmds)具有固有的半导体特性,很好地补充了石墨烯这方面的不足,在光电子器件方面具有很好的应用前景。

通过在二维tmds的表面吸附原子可以对其进行功能化修饰,从而改变二维tmds的结构,提高其性能,为二维tmds在光电子器件方面的应用提供理论指导。

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2. 参考文献

1. 张千帆,高磊,田洪镇,徐忠菲,王亚鹏. 二维层状材料过渡金属硫化物. 北京航空航天大学学报,2016, 42(7): 1311-1325 2. 徐位云,汪丽莉,宓一鸣,赵新新. Fe原子吸附对单层WS2结构和性质的影响. 物理化学学报,2017, 33(9), 1765-1772 3. 常伟. 掺杂MoS2电子结构和光学性质的理论研究. [硕士学位论文]. 西安电子科技大学,2015 4. 林春丹,赵红伟,杨振清,邵长金. 单空位缺陷扶手椅型MoS2纳米带结构和电子性质研究. 人工晶体学报,2015, 44(4): 1036-1040 5. 汪文慧. 二维过渡金属硫化物的光学性质与电化学性质探讨. [博士学位论文]. 中国科学技术大学,2016 6. 姚国英,刘清路,赵宗彦. 第一性原理研究MoS2/WS2异质结构的界面电子性质. 功能材料,2017, 9(48): 09120-09135 7. 李伟. 二维过渡金属硫化物及其异质结电子结构调控的第一性原理研究. [博士学位论文]. 河南师范大学,2017 8. 曾范. 二维过渡金属硫族化合物MX2(M=Mo,W; X=O,S,Se,Te)电子结构和弹性性质的第一性原理研究. [硕士学位论文]. 湘潭大学,2015 9. Hu, X; Kou, L; Sun, L. Stacking orders induced direct band gap in bilayer MoSe2-WSe2 lateral heterostructures. Sci. Rep. 2016, 6, 31122. 10. Kang, J.; Tongay, S.; Zhou, J.; Li, J.; Wu, J. Band offsets and heterostructures of two-dimensional semiconductors. Appl. Phys. Lett. 2013, 102, 012111. 11. Wang, Y.; Wang, B.; Huang, R. First-principles study of transition-metal atoms adsorption on MoS2 monolayer. Phys. Phys. E. 2014, 63, 276-282. 12. Komesu, T.; Le, D.; Tanabe, I. Adsorbate doping of MoS2 and WSe2: the influence of Na and Co. J. Phys. Condens. Matter. 2017, 29, 285501-285508. 13. Rastogi, P.; Kumar, S.; Bhowmick, S.; Agarwal, A.; Chauhant, Y. S. Doping strategies for monolayer MoS2 via surface adsorption: A systematic study. J. Phys. Chem. C. 2014, 118, 30309-30314. 14. Foerster, A.; Gemming, S.; Seifert, G. Chemical and electronic repair mechanism of defects in MoS2 monolayers. ACS Nano. 2017, 11, 9989-9996. 15. Saidi, W. A. Trends in the adsorption and growth morphology of metals on the MoS2(001) Surface. Cryst. Growth. Des. 2015, 15, 3190-3200. 16. He, H.; Lu, P.; Wu, L. Structural properties and phase transition of Na adsorption on monolayer MoS2. Nanoscale. Res. Lett. 2016, 11, 330.

3. 毕业设计(论文)进程安排

2017.12.11-2017.12.22:确定毕业论文题目,学生选题,指导学生查阅文献; 2017.12.23-2018.1.12:完成文献综述、外文翻译和开题报告等工作;完成本征二维TMDs的能带结构和态密度的计算; 2018.2.26-2018.4.30:对原子吸附的TMDs模型结构进行几何优化、能带结构和态密度的计算,完成计算数据的分析及整理工作; 2018.5.1-2018.5.31:完成毕业论文的撰写及修改。

2018.6.1-2018.6.15:进一步修改毕业论文并完成毕业论文的答辩。

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