1. 毕业设计（论文）的内容和要求

bi₄ti₃o₁₂（bit）是典型的铋层状钙钛矿结构铁电材料，其晶体结构可描述为：两端分别是[bi₂o₂]² 层，中间为类钙钛矿[bi₂ti₃o₁₀]^2#8211;层。晶格常数a、b和c分别为0.5450，0.5405和3.2832nm。bit具有较高剩余极化强度pr、介电常数和居里温度（675℃）、良好的抗疲劳特性以及不含铅等优点，使其成

为si 基铁电器件的热点候选材料之一，日益引起人们的广泛关注。该材料具有两个自发极化方向，在a轴方向的2pr 约为10^#8211;4 c/cm2；c 轴方向的2pr 约为0.08#215;10^#8211;4 c/cm2。由于bit 易c 轴取向，因此bit 的2pr 也非常小（0.08#215;10^#8211;4 ~ 0.16#215;10^#8211;4 c/cm2）。研究表明：用高价离子取代类钙钛矿层中b 位ti⁴ ，即b位掺杂，是改善材料铁电性能的有效方法之一。

钕是最活泼的稀土金属之一，在空气中能迅速变暗，生成氧化物；在冷水中缓慢反应，在热水中反应迅速，能与水和酸作用放出氢。具有顺磁性。研究表明nd掺杂不会影响bi₄ti₃o₁₂（bit）的晶体结构，但是会对bit薄膜材料的结构、光学性能以及铁电和介电性能产生较大的影响。本毕业论文要求学生进行掺钕bit薄膜的制备，通过各种手段研究了掺杂薄膜的铁电性能，研究掺杂量与性能之间的关系。

2. 参考文献

[1] 苗凤娟,陶百瑞, paul k. chu. synthesis, microstructure, and electronic band structure properties of nanocrystalline neodymium-doped bismuth titanate ferroelectric films fabricated by the sol#8211;gel method [j]. materials research bulletin,2015,61:238-244.

[2]谭丛兵，钟向丽nd掺杂对bi₄ti₃o₁₂铁电薄膜的微结构和铁电性能的影响[j].物理学报,2007,56：6084-6089.

[3] noguchi y, miwa l, goshima y, et al. defect control for large remanent polarization in bismuth titanate ferroelectrics [j]. jpn j appl phys, 2000, 39: 1259－1262.

3. 毕业设计（论文）进程安排

1)15.12.22#8212;15.12.26 课题选题、课题任务书

2)15.12.27#8212;16.1.15 文献综述、英文翻译与开题报告

3）16.2.23#8212;16.3.14 实验材料准备（学生毕业实习）