文 献 综 述 基于Co-BTA金属有机配位聚合物薄膜的信息存储器件的制备及性能研究综述 摘要：阻变存储器是一种非常新颖的非易失性存储器概念，通过利用某些薄膜材料在外加电场的作用下表现出的两个或两个以上的不同阻态来实现数据存储。

配位聚合物是由有机配体和中心离子， 通过配位键结合，以自主装的方式形成的具有一维、二维或三维无限网络结构的配位聚合物。

本文综述了存储器的分类、结构，配位聚合物的分类、合成方法及应用前景。

关键词：阻变存储器、配位聚合物、 前言：在半导体工业向10nm技术节点或更小方向推进的过程中，存储器行业正面临着技术与材料等方面的诸多挑战。

随着尺寸的不断减小，基于硅材料的传统非易失性存储器件的存储密度已越来越接近其本征极限。

阻变存储器[1]作为一种具有高密度存储潜力的新型非易失性存储器自20世纪90年代末以来发展十分迅速，并以其结构简单、尺寸可缩小性好、读写速度快、擦写耐受力高、数据保存时间长、具备多维和多值存储能力等优点，成为了存储行业的研发重点。

阻变存储器非易失性和高速随机擦写的特点使其有望成为下一代通用性存储器，把内存和硬盘的优势集成到一起，从而能改变目前计算机的架构并极大地改善计算机的性能，在未来信息领域和国家工业体系中发挥着重要作用。

配位聚合物是无机或含有金属阳离子中心金属有机聚合物借由有机配体相连的结构，具有重复的1维、2维或3维无限网络结构，通常透过分子自组装合成。

由于配位聚合物材料具有丰富的空间拓扑结构，其物质合成、结构分析及性能研究等方面成为近几年的研究热点，配位聚合物与许多领域相关，例如有机和无机化学，生物化学，材料学，电化学，和药理学，都有很大应用潜力；同时在分子存储、发光、传感、电化学、机械等领域有广泛的应用前景。

一、阻变存储器：存储器的种类非常多，各类存储器在不同的时期发挥着信息存储的重要作用。