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Nb掺杂对PZT薄膜电学性能的影响文献综述

 2020-04-14 15:30:46  

1.目的及意义

铁电材料因具有铁电性、压电性、介电性、热释电性、电光性等多重特性,可广泛应用于电容器、谐振器、铁电存储器、声表面波器件、热释电器件等方面,引起了科研人员的关注[1-4]。其中,锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3,PZT)是钙钛矿型铁电材料的典型代表[5],由于其具有优越的铁电、介电、压电、热释电等特点,成为了研究者的一个研究热点。

早期,受到当时材料制备技术等方面的限制,普遍将PZT制成陶瓷块体材料。而PZT块体材料由于其体积较大,还具有工作频率低、工作电压高、与半导体工艺不兼容等缺点,限制了其进一步的发展。随着电子信息科技的不断发展,微电子技术与薄膜制备技术的突破[6-7],电子元器件开始向微型化、轻量化、集成化方向发展。薄膜技术的突破推动了PZT材料薄膜化的热潮。PZT材料本身固有的优点使得PZT薄膜在电容器、非挥发性铁电存储器、声表面波器件、微型压电传感器等方面得到了广泛应用,成为材料领域和新型功能元器件领域研究的前沿和热点之一。

然而,PZT铁电薄膜本身存在着一些缺陷。首先,PZT薄膜的介电性能有待提高并且矫顽场较大;其次,PZT铁电薄膜本身的损耗和漏电流较大使得PZT薄膜难于集成在各种器件上。随着材料制备技术的成熟,PZT铁电薄膜引起许多科研工作者的关注,掺杂改性作为改善PZT铁电薄膜的有效手段,可以一定程度改善铁电薄膜的微观结构和电学性能[8-9]

掺杂又可以分为施主掺杂、等价掺杂、受主掺杂三大类[10-11]。施主掺杂是指高价态正离子取代PZT中的Pb2 、Zr4 或Ti4 ,由于高价态取代低价态,为保持电中性使薄膜材料中引入正离子空位,由于离子半径和化学价态的差异,掺杂后的PZT薄膜晶体结构发生变化,进而引起机械品质因数下降,矫顽场降低,介电常数增加等变化[12-13]。最近,Klissurska[14]等人观察到Nb掺杂可以引起PZT薄膜铁电性质的变化,这种变化是由微观结构的变化和第二相烧绿石的量的变化而引起的。他们研究当PZT薄膜掺杂2.0mol%的Nb后,PZT薄膜的铁电性能会降低。后来,Araujo[15]等人用氧化物前驱体法制备了Nb掺杂的PZT薄膜,含有5.0 mol%Nb的PZT薄膜与纯PZT薄膜相比,能获得更高的剩余极化值和更低的介电常数。Varela[16]等人已经研究了Nb掺杂在PZT块状陶瓷中的作用当Nb的浓度为0.5mol%增加了PZT的剩余极化值并降低了矫顽场。因此,Nb掺杂有望改善PZT薄膜的性能。

以上研究表明,在PZT中引入Nb,可以改善薄膜的铁电、漏电及介电性能,主要原因是正五价的Nb离子作为施主离子掺杂,在替代ABO3结构中的B位后能够抑制薄膜中氧空位的产生,从而有利于PZT铁电薄膜的性能改变,使获得铁电性能好、介电性能好、漏电流小的PZT薄膜成为可能。

为了提高PZT薄膜的电学性能,本课题拟采用掺杂离子的方式来提高其电学性能,探究不同含量的Nb对PZT薄膜电学性能的影响,得到最佳的掺杂浓度,获得电学性能良好的PZT薄膜。

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2. 研究的基本内容与方案

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2.1 基本内容

1、不同Nb掺杂浓度的PZT薄膜的制备

采用溶胶-凝胶法制备PZT前驱体溶液,并引入不同浓度的Nb,采用旋涂工艺制备不同Nb掺杂浓度的PZT薄膜。

2、 Nb掺杂对PZT铁电薄膜微观结构和电学性能的影响研究

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