1. 毕业设计（论文）主要内容：

研究不同温度和压强对硅基板上激光化学气相沉积法沉积生长碳氮硅薄膜的影响。

探究sicn薄膜的生长过程和生长模式，探索适合生长出不同结构的sicn薄膜的条件。

研究沉积时间对sicn薄膜结构影响，并结合相关理论对激光化学气相沉积法外延生长sicn薄膜的机理进行阐述。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

1.查阅不少于20篇的相关资料，其中英文文献不少于10篇，完成开题报告，并完成不少于5000字的英文文献翻译；

2.不同温度和压强对sicn薄膜的生长的影响，阐述激光化学气相沉积sicn薄膜的生长机理；

3.探究硅基板上适合生长不同结构sicn薄膜的条件，并对sicn薄膜的缺陷和质量进行表征；

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

1.第1－2周：查阅相关文献资料，明确研究内容，确定方案，完成开题报告；

2.第3－9周：在硅基板上制备sicn薄膜薄膜，研究不同温度和压强对sicn薄膜的生长的影响，并结合测试手段及时对其结构进行表征表征和分析；

3.第10－13周：研究不同沉积时间对sicn薄膜结构的影响，完成该部分后，结合相关理论对生长机理进行阐述；

4. 主要参考文献

s.d. allen. laser chemicalvapor deposition: a technique for selective areadeposition[j]. journal ofapplied physics, 1998, 52(6501)

a n.i.fainere.a.maximovski yu.m.rumyantsev, etal. study of structure and phase composition of nanocrystal siliconcarbonitride films [j]. nuclear instruments and methods in physics researchsection a: accelerators, spectrometers, detectors and associated equipment,2001, 470: 193-197.

[3] v.i. ivashchenko, a.o. kozak, o.k. porada,etal. characterization of sicn thin films: experimental and theoreticalinvestigations [j]. thin solid films, 2014, 569: 57-63.

[4] s. nagappa, m. zupan, c. a. zorman. mechanicalcharacterization of chemical vapor deposited polycrystalline 3c silicon carbidethin films[j]. scripta materialia, 2008, 59(9): 995-998.