1.促进石墨烯片上金属氧化物纳米棒阵列生长的通法及其应用 摘要 在柔性器件制造的过程中，高度有序的纳米级纹理，例如柔性基板上的半导体金属氧化物纳米棒阵列，对器件获得最佳性能意义重大。

透明导电膜，金属膜，和聚合物衬底的应用受到诸如机械脆性，化学和热不稳定性，低电导率，低熔融点等一系列因素的限制。

现在，科学家在柔性石墨稀薄片（G）的两侧使用一种简单通用的纳米种子水热法，从而促进各类半导体金属氧化物（MO）纳米棒阵列的大规模生长，这些氧化物包括TiO2, ZnO, MnO2, CuO, 和ZrO2，通过这种方法，就可形成三明治般的MO/ JI / MO异质结构。

TiO2/G/TiO2纳米棒的异质结构相比于TiO2纳米棒有更高的光学活性，其亚甲基蓝的光催化降解率是后者的四倍，因而是作为光催化净化剂的首选。

涉及直接连接、集成低维度纳米结构的自下而上的纳米加工方法，特别是加工垂直排列的一维纳米线／棒的方法，可能会提供一个有吸引力的解决方案，以实现纳米级设备中的超高密度先进的3D纳米电路。

［1］垂直排列的半导体纳米线/纳米棒阵列已经成功地应用在各种电子和光子器件结构之中，包括场效应晶体管[2]，纳米激光器[3]，发光二极管[4]，和能量收集器件[5]例如，由于定向的几何结构提供了可直接将光生载流子从交界处运输到外部电极的传导路径，相比于多晶薄膜，纳米阵列更有利于光伏（PV）的应用，因而也具有更高的载流子的收集效率［6］。

通常来说，制造垂直取向的半导体金属氧化物纳米线/纳米棒阵列纳米器件（例如，纳米发电机）需要通过使用透明、导电的氧化铟锡（ITO）膜和金属薄膜电极。

然而，在使用中，由于其机械脆性（在柔韧的装置，如果设备被过渡拉伸的话，很容易引入缺陷），化学不稳定性，和较高的成本（它们通常包括贵金属或稀有金属）［7］，导致这些透明导电膜和金属膜有一定的局限性。

尽管器件中聚合物衬底的良好的柔韧性的，在实际应用中，它们也有糟糕的缺陷，如较差的热稳定性和化学稳定性，低导电性，低熔点，与基板之间和纳米材料的粘结性较差［8］。

因此，开发一种既简单、有效的方法来实现半导体金属氧化物纳米线/纳米棒阵列直接连接柔性的导电基板上，又能同时克服上述透明导电膜或金属膜和聚合物衬底中的缺点，仍是一个巨大的挑战。