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臭氧氧化法去除硅表面银纳米颗粒的研究开题报告

 2020-06-09 22:41:12  

1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)

1 引言

能源短缺和环境污染已成为影响经济社会发展的重要因素,能否获得无污染的能源成为当今社会关注的焦点之一。太阳能作为一种洁净的可再生能源得到了越来越多的重视,目前,许多国家正在制订中长期太阳能开发计划,准备在21世纪大规模开发太阳能。太阳能电池将太阳能直接转化为电能,是有效利用太阳能的最佳途径之一,多晶硅太阳能电池在太阳能的应用上面又是占据了重要地位。在多晶硅太阳能电池制备工艺过程中,有一个步骤称之为脱银[1],这是为了将硅片表面反应产生的银纳米颗粒除去,达到清洗除杂质的目的,最终减小电池效率的损失。目前常规的方法是采用氨水混合双氧水来脱银,但是此方法不利于环境保护,存在污染,多晶硅太阳能电池的成本比较低,其市场占有率已逐步上升,但其采用氨水混合双氧水来脱银对环境的污染非常严重[2],不利于保护环境,所以我们要引入新的方式来完成脱银,探索臭氧脱银的效果

2 黑硅

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2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

问题:臭氧氧化法去除硅表面银纳米颗粒的研究

研究手段: 1.硅片从镀银到造孔,再到脱银的流程

硅片:多晶,电阻率为1-3Ω#183;cm,厚度为200士20m,尺寸20mmx20mm。

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