登录

  • 登录
  • 忘记密码?点击找回

注册

  • 获取手机验证码 60
  • 注册

找回密码

  • 获取手机验证码60
  • 找回
毕业论文网 > 文献综述 > 理工学类 > 应用物理 > 正文

清洗温度对熔盐法制备Cr掺杂SrTiO3掺杂量的影响文献综述

 2020-04-30 16:11:24  

如今,全球范围内能源危机和环境污染问题日益严峻。

为了解决这些问题,我们必须寻找清洁能源。

自1972年,日本的两位教授Fujishiam和Honda[1]首次报道了TiO2单晶电极在紫外光照射下分解水产生氢气这一现象以来,通过光解水制氢逐渐走入了人们的视线。

而近年来,为有效解决口益突出的能源问题和环境问题,诸多国家已经高度重视并启动了光催化水解制氢的研究,共同重点研究对象是太阳能光催化水解制氢。

太阳能光催化水解制氢被认为是”人造光合作用”,即利用半导体光催化剂将太阳能转化为化学能的过程。

反应过程如下:半导体光催化水解制氢的过程主要分为以下三步:(i)半导体光催化剂吸收比禁带宽度能量更大的光子,产生光生电子一空穴对;(ii)电子一空穴对产生分离并向半导体表面迁移;iii)迁移到半导体表面的电子和空穴与H 和H2O分别发生氧化还原反应生成H2和O2[2,3]。

但是,并不是所有半导体材料在光照下都能实现光催化分解水。

半导体光催化材料要实现光催化分解水,其导、价带位置必须满足一定的条件:即导带位置比H /H2的还原电势(0 eV vs NHE,pH = 0)更负,价带位置比O2/H2O的氧化电势(1.23 eV vs NHE,pH = 0)更正, 因此其禁带宽度要大于水的分解电势(1.23 eV)。

但是由于过电势的存在,半导体材料的禁带宽度需要大于2.0 eV。

满足该基本条件的半导体材料具有光催化分解水的可能性。

剩余内容已隐藏,您需要先支付 5元 才能查看该篇文章全部内容!立即支付

微信号:bysjorg

Copyright © 2010-2022 毕业论文网 站点地图