1. 毕业设计（论文）的内容和要求

硅是重要的半导体材料，近年来，其一维硅纳米材料由于与现有的硅加工工艺具有良好的兼容性，可用于集成的硅基纳米器件的设计，而越来越受到人们的

关注。虽然采用化学刻蚀方法很容易制备硅纳米线，但是对制备过程中产生的银纳米颗粒（ag nps）的去除文献中却介绍的很少。因为这些ag nps对硅纳米线器件（如太阳能电池，led等）的电学和光学性能产生不利的影响。所以非常有必要对这些ag nps进行彻底的清除。

本论文旨在阅读大量文献的基础上，概述si纳米线的研究进展，包括制备方法，应用领域。结合文献中化学刻蚀方法制备出的si纳米线，去除ag纳米颗粒的方法，设计出自己的去除银颗粒的实验方案。通过实验证明其可行性。

2. 参考文献

1． mechanism of nanowire formation in metal assisted chemical etching, zachary r. smith，et al. electrochimica acta 92， 139#8211;147(2013) 。

2． a strong antireflective solar cell prepared by tapering silicon nanowires, jin-young jung, et al.optical express, 18, a286-a292 (2010)

3． 硅纳米线性质及其太阳电池应用研究，energy developm ent frontier 2，1-13 （2013）

3. 毕业设计（论文）进程安排