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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

通过一系列实验设计研究algan外延膜的光学性质与入射光频率，铝含量的关系。找到algan半导体薄膜光学性质的规律，并在此规律上对algan材料进行优化。

aln、gan、inn及其合金等iii族氮化物是最重要的宽带隙半导体材料体系之一，它们具有宽的直接带隙，高的击穿电场和热导率、高的电子饱和速率及耐化学腐蚀等特点，这些优良的物理性质和化学性质在光学器件，电子器件以及特殊的半导体器件领域有着广泛的应用前景。

algan材料在短波长紫外光led应用领域非常广泛，深紫外发光二极管应用领域非常广泛，是氮化物半导体研究领域中非常重要的研究方向。但由于高al组分algan材料制备比较困难，因此围绕algan半导体薄膜的光学性质的研究有助于对algan材料在光学器件中运用。

2. 研究的基本内容

1.拟采用的资料和方法

①资料：国内外对于algan薄膜结构以及相似的gan基结构、aln基结构研究的相关论文，对其光学特性研究的相关论文。

②方法：合成分析和相关分析。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

1.实行方案：

在导师的指导下，自己设计，独立分析，同时注意参考已有的研究文献，与其他人的研究结果相结合，论证其他人的结论或提出自己的结论。

4. 参考文献