单晶半导体和绝缘体二次电子发射及其应用开题报告
2022-01-18 22:16:02
全文总字数：6076字
1. 研究目的与意义及国内外研究现状
随着空间研究，扫描电子显微镜，等离子体物理，半导体物理和电子信息技术的发展，半导体和绝缘体（si）的二次电子发射（see）可以应用于越来越多的领域。
关于si 的see特征已经做了很多工作。
然而，由于si的see特征的极端复杂性，我们很难理解它们。
2. 研究的基本内容
本文介绍了三种计算微扰χ的方法，并分别给出了推导公式和相应计算参数 ，包括B和LiF的一些MSI的χ。计算表明，用这三种方法计算的χ≥0.5eV和 Eg≥0.6eV的MSI是正确的。据估算，与有效δms(χ, Eg)计算得χ的相比，误差小于17％，与δm(χ, Eg)的计算平均值中的χ的比较，误差约5.7％。
SEE发生在不同的真空度。到目前为止，研究人员测量了不同真空度（包括真空度不足）的 δm(χreal,Eg) 和 Epoms(χreal, Eg)，但从未定量分析真空度对χreal，B(χreal, Eg)和λ(χreal, Eg)s的影响，因此，定量研究真空度变化对χreal，B(χreal, Eg)和λ(χreal, Eg)s的影响是有必要的。根据本文得到的 Epoms(χreal, Eg)，B(χreal, Eg) 和λ(χreal, Eg)s公式，计算分析了真空度变化对χreal，B(χreal, Eg)和λ(χreal, Eg)s的定量影响。研究表明，此方法是正确且合理的。
3. 实施方案、进度安排及预期效果
推导了单晶半导体和绝缘体（msi）分别在χ≥0.6ev且eg≥0.6 ev条件下的δms(χ,eg) epoms(χ, eg), b(χ, eg)与 λ(χ, eg)s的公式，并证明了公式的正确性；其中δms(χ,eg) 是msi的最大二次电子系数，χ为原始电子亲和势，eg为禁带宽度，epoms(χ, eg) 是对应于δms(χ,eg) 的主要入射能量， b(χ, eg)是内部二次电子在到达msi表面时逃逸到真空中的概率， λ(χ, eg)s是msi发射的二次电子的平均逃逸深度。
分别给出了用推导的δms(χ,eg) 公式计算χ和用epoms(χ, eg) 推导公式计算χ的方法。
结果表明，用这两种方法计算的最小均方误差(χ)分别为χ≥0.6ev和 eg≥0.6ev是正确的。
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