磁电阻(MR)效应作为一个早就被人们所熟知的现象，指材料对磁场的响应导致的电阻变化。

所有的非磁性金属都具有内在的磁电阻，铁磁金属的磁电阻效应长期以来就被应用于磁传感器[1]。

磁电阻效应产生的机理是由于电子在磁场中运动产生洛仑兹力，导致电子沿电流方向发生偏转或沿螺旋线进动[2-3]，从而使传导电子的散射截面增大，故使其电阻增大。

普通的非磁金属的磁电阻效应很小，大约1%~2%，且为正磁电阻，即在外磁场下电阻增大。

磁电阻（MR）的定义式为，式中分别为有磁场和无磁场情况下的电阻率。

普通金属的磁电阻具有明显的各向异性，也就是说MR取决于电流I与磁场H之间的相对取向，当磁场与电场(测量电流I)平行或垂直时，分别称为纵向或横向磁电阻效应，且通常满足以下不等式：。

这是由于横向磁场下载流子发生偏移，从而给出更大的附加散射概率。

磁场对能带复杂的金属的影响比对单价金属大。

低温下纯金属的ρ0很小，磁场的相对影响会明显增加。

半导体材料也具有磁电阻效应，且通常要更大一些。