本工作是研究多晶半金属LSMO的磁电阻与外磁场的响应方程，半金属锰氧化物La2/3Sr1/3MnO3（LSMO）具有较高的居里温度，优良的输运性质以及接近100%的自旋极化率，是一种理想的磁电阻材料。

通过对磁性材料磁电阻磁场依赖关系的研究，不仅有助于人们更深入地理解微观的磁电阻机理，同时也将有助于材料的设计和应用。

如能掌握磁电阻与磁场的函数关系，将会使得磁传感器更加精密准确。

同时方程式中给出的信息也将有助于材料的设计与裁剪，为优化磁电阻效应提供理论依据。

然而，目前对自旋极化铁磁材料的磁电阻与磁场依赖关系的研究并不多。

本工作就是尝试利用微磁学的基本方法和一些电输运机制来建立一个普遍适用的磁电阻方程式MR (H)，通过这个方程式我们能够一目了然地获得磁电阻和磁场的依赖关系，并且这种依赖关系可以说明外磁场是如何调控LSMO微观的电子输运状态的，同时方程式中也会透露出其他的一些信息，如晶体结构、电子结构和磁结构等，这些信息将为如何去增强磁电阻效应提供理论支持，使其应用能力增强。

1.磁电阻的概念： 1.1磁电阻的经典描述 物质的电输运性质受其他外界因素的影响会发生改变。

如外加磁场能使材料的电阻率发生变化，即磁电阻 (MR) 效应。

如前所述，非球形的等能面使得系统具有多种载流子，如果外磁场产生的霍尔场不能够平衡各个载流子所受的洛伦兹力，使得不同的载流子沿其电流方向呈螺旋线运动或者偏离原轨道，将导致散射截面增加和电阻率增大，我们把这种由洛伦兹力引起的电子螺旋运动或偏转所导致的磁电阻称为本征磁电阻效应。

而由颗粒边界、表面效应等外在因素所导致的磁电阻称为非本征磁电阻。