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磁控溅射工艺参数对PZT薄膜电性能的影响文献综述

 2020-04-15 20:19:20  

1.目的及意义
锆钛酸铅(PZT)薄膜由于具有优良的压电、铁电、介电、热释电和机电耦合性能,成为当前国际上备受关注的功能材料,在微机电系统(MEMS)技术中被广泛应用[1],比如:铁电存储器[2,3]、数字开关[4]、振动能量釆集器[5,6,7,8]与燃料电池[9,10]等。

最早PZT 压电材料是以压电陶瓷的方式被发现的,随着PZT陶瓷材料缺点逐渐显现出来,PZT铁电薄膜成为铁电材料应用研究的重要方向之一。PZT 薄膜器件具有响应快,探测信号快,结构紧凑,机械强度好[11],可提高波长范围等特点,为器件的集成化和微型化创造条件[12]。目前,PZT 薄膜材料的制备和应用研究已成为铁电学研究的热点之一[13,14]

台湾国立大学马小康[15]教授发表了关于PZT薄膜与质子交换膜燃料电池相结合成功的研究成果,他们将PZT器件粘接到薄膜上,通过正弦信号发生器驱动。利用其压电性能为燃料电池提供动力,在180Hz时激励使他的输出电流增大了三倍达到0.41A。

PZT由于具有大的介电常数和小的介电损耗,所以在pMUT技术中被广泛应用[16,17,18]。Un-Hyun Lim[19]等基于溅射法制备的PZT薄膜,开发出了高频率下工作的压电式微机电超声传感器(pMUT)。

西安交通大学的Zhao[20]等利用PZT薄膜材料设计并制作了一种热电红外探测器。热电红外探测器通常由辐射调制系统(radiationmodulation system),检测电路(readout circuit)和感应元件组成,而感应元件是探测器的核心元件,高性能的感应材料是制作一个感应元件的关键。他们用微机电系统(MEMS)技术将PZT薄膜沉积在Si 3 N 4 /SiO 2 /Si基片上制作出了高效的感应元件。

PZT薄膜的制备方法中最成熟的是溶胶-凝胶法,但难以保证在大批量生产时薄膜性能的稳定性,磁控溅射法所制备的薄膜重复性高,稳定性强,致密性好,具有很大的应用前景。确定磁控溅射法中影响薄膜生长的因素,制定合理的工艺参数、热处理参数等,使得通过磁控溅射法制备高质量的PZT薄膜具有很大的实际意义。

Robert R. Benoit等人[21]将PZT薄膜直接沉积在了硅-蓝宝石(Silicon-on-Sapphire)基片上,并与沉积在硅片上的薄膜的进行了性能比较。他们发现沉积在SOS基片的PZT薄膜饱和极化强度和剩余极化强度均有所提高,但是峰值介电常数有所下降。日本神户大学的T Ito等人[22]用射频磁控溅射法把PZT薄膜沉积在了多种金属材料表面并测试了性能,他们的结果表明沉积在铁氧体不锈钢(FSS)表面的PZT薄膜有着最好的压电性能,并且发现PZT薄膜的介电常数对基片的热膨胀系数显示出明显相关性。

本课题采用磁控溅射法制备PZT薄膜,通过探究在制备过程中影响薄膜生长的因素,掌握磁控溅射法制备薄膜的原理,了解溅射气氛、衬底温度等因素对薄膜生长的作用机理,加强对XRD、FESEM等表征手段的分析能力。

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2. 研究的基本内容与方案

{title} 2.1 基本内容

1、探究磁控溅射工艺对PZT薄膜性能的影响

氩气氧气流量比、基片温度、气压、溅射时间、溅射功率、退火温度等工艺参数都会影响PZT薄膜的性能。改变工艺参数制备不同PZT薄膜,分析工艺参数对薄膜生长的影响,确定最佳的溅射参数。

2、PZT薄膜性能的研究

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