1. 研究目的与意义（文献综述）

1.1 研究目的及意义

随着汽车技术、电子技术快速发展以及消费者对汽车舒适程度的要求越来越高,汽车电子化、智能化、网络化已是大势所趙。汽车电子产业随着汽车的迅速普及而呈现加速发展的趙势,汽车电子产业的发展及其在汽车上的应用程度决定了未来汽车工业的发展趋势。我国从20世纪90年代开始进行汽车电子产品的研发及产业化, 但由于起步较晚，基础薄弱,汽车电子产品发展落后于汽车整车的发展,产品和技术与国外差距较大, ,我国汽车电子产业仍处于起步发展阶段。

汽车电子产业的核心问题是芯片。在高性能半导体器件贸易上，西方国家从1949年起长期对华禁运，外资企业牢牢占据着国内汽车电子市场和技术的决定权。在大面积晶圆生长、半导体掺杂和退火等关键工艺上，包括日本、台湾等掌握先进技术的国家和地区，长期对华封锁。高性能半导体器件的匮乏，已经开始制约我国汽车、高铁等领域高端装备的发展。我国2006年成立的“02专项”，开启了高端半导体产业的破冰之旅。2016年7月国务院发布的《“十三五”国家科技创新规划》中，明确将第三代半导体产业和技术的发展确立为国家重大战略任务。未来，谁拥有高质量的芯，谁就能占据产业制高点。

2. 研究的基本内容与方案

2.1 研究内容

建立金刚石薄膜掺杂模型，采用第一性原理分子动力学计算分析金刚石的本征/掺杂性能，以及掺杂后金刚石薄膜的性能缺陷及能场响应特性研究，探索金刚石微观掺杂机制。具体研究内容包括：

第一性原理分子动力学计算

3. 研究计划与安排

1（7 学期第20周） 确定毕业设计选题、完善毕业设计任务书(相关参数)、校内资料收集

2（8 学期第1周） 方案构思、文献检索、完成开题报告

3～4（8学期第2-3周） 外文翻译、资料再收集

4. 参考文献（12篇以上）

[1] ueda k, kawamoto k, asano h. high-temperatureand high-voltage characteristics of cu/diamond schottky diodes[j]. diamond andrelated materials, 2015, 57: 28-31.

[2] silva f, achard j, brinza o, et al. high quality,large surface area, homoepitaxial mpacvd diamond growth[j]. diamond and relatedmaterials, 2009, 18(5-8): 683-697.

[3] miyazaki t, miyamoto y, makino t, et al. atomisticmechanism of perfect alignment of nitrogen-vacancy centers in diamond[j].applied physics letters, 2014, 105(26): 261601.