3,4-乙撑二氧噻吩的合成研究文献综述
2020-04-04 13:23:24
文 献 综 述
1 引言
3,4-乙撑二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene,EDOT)是合成重要电导聚合物聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDT)的单体[1]PEDT是目前研究和应用最多的一种导电聚合物,通过聚苯乙烯磺酸(PSS)掺杂,解决了PEDT不溶不熔和难以加工的问题,所得的PEDT/PSS膜具有高的导电率,透明性好,较强的机械强度,且具有很好的抗水解性和光稳定性及热稳定性,目前己在固体电解电容器和抗静电涂层等方面获得广泛应用,预计它在通孔线路板涂层,光电二极管,太阳能电池,电磁屏蔽,吸波隐身材料等方面有广泛的应用前景。但是目前3,4-乙撑二氧噻吩的合成条件苛刻,工艺步骤繁杂,使其价格比较贵,限制了它的应用。因此,改进其合成方法,降低生产成本具有重要的意义[2]
2 3,4一乙撑二氧噻吩的简介
3,4-乙撑二氧噻吩(3,4-ethylenedioxythiophene,EDOT) EDOT是PEDOT的单体材料,可通过电化学聚合的方法来制备PEDOT薄膜。EDOT在现代电子工业被广泛用来合成导电聚合物。分子式:C6H6O2S 分子量:142.17 CAS No.:126213-50-1 含量:99.5% Min (GC) 外观:近无色透明液体
3 3,4-乙撑二氧噻吩合成方法
3.4.1 EDOT的Jonas合成法
目前最常用的,已形成工业化生产线的EDOT的合成方法为Jonas合成法
这条路线分两个关键部分进行:第一,在噻吩3,4位形成二氧六环结构,得到2,5-二甲酸乙酯-3,4-乙撑二氧噻吩4;第二,化合物4经水解,酸化和脱梭就能得到EDOT[3]。
如图: