1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

文 献 综 述 1. 引言 二维过渡金属硫化物因其具有特殊的能带结构、半导体或超导性质以及优秀的机械性能等，在纳米电子器件和光电子学等诸多领域具有广阔的应用前景，引起了广大研究者们的兴趣和关注，成为了近年来低维功能材料领域研究的热点。

二维二硫化钼(sns2)具有类似与石墨烯的六方晶系层状结构，单层sns2包含1个sn原子层, sn原子层和2个s原子层形成三明治夹层结构。

层内sn-s和sn-sn之间是强的共价键结合，而层间s-s之间是弱的范德华力结合。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本毕业设计论文主要是在密度泛函理论基础上, 利用量子化学、分子图形学和量子化学计算软件程序vasp 、p4vasp、vesta等计算研究少层sns2薄膜的微观几何结构、电子结构、电荷分布、电子能态以及w掺杂调控对sns2薄膜性能的调控。

系统研究不同w掺杂的sns2薄膜对nh3,h2s吸附性能,寻找最有效的w掺杂对nh3,h2s气体的最佳选择性。

从而为基于w掺杂的sns2薄膜器件的设计和研发提供一定的理论依据和支撑。