1. 毕业设计（论文）的内容和要求

zno薄膜是一种具有优异特性的第三代化合物半导体材料。

在室温下具有3.37ev的禁带宽度，且具有较大的激子束缚能，这使得其成为一种制备短波长光电器件的材料而备受关注。

zno材料共有3种晶体结构，即六角纤锌矿结构、立方岩盐矿结构和立方闪锌矿结构。

2. 参考文献

[1] K Ogata, K Koike, S Sasa, M Inoue, M Yano, Fabrication of ZnO nanorods on O-polar ZnO layers grown by molecular beam epitaxy and electrical characterization using conductive atomic force microscopy, Semiconductor Science and Technology, 2009, Vol.24 (1), pp.015006. [2] Li Qi, Fan Guang-Han, Xiong Wei-Ping, Zhang Yong, First-principles calculations of ZnO polar surfaces and N adsorption mechanism, Acta Phys. Sin. 2010, Vol. 59 Issue (6): 4170-4177 . [3] F. Fabbri, M. Villani, A. Catellani, A. Calzolari , G. Cicero, D. Calestani, G. Calestani, A. appettini , B. Dierre, T. Sekiguchi G. Salviati, Zn vacancy induced green luminescence on non-polar surfaces in ZnO nanostructures, Scientific Reports 4, Article number: 5158 (2014). [4] J. Falson1,2,3,a), Y. Kozuka1, J. H. Smet3, T. Arima2,4, A. Tsukazaki5,6 and M. Kawasaki1, Electron scattering times in ZnO based polar heterostructures, Appl. Phys. Lett. 107, 082102 (2015). [5] T. H. Sung, J. C. Huang, and H. C. Chen, Mechanical response of polar/non-polar ZnO under low dimensional stress, APPLIED PHYSICS LETTERS 102, 241901 (2013).

3. 毕业设计（论文）进程安排

2015.12-2016.01,文献调研，开题； 2016.03-2016.04系统搭建、测量及数据分析； 2016.05-2016.06论文撰写，答辩。