一、课题背景目的及意义 红外热成像技术是一种利用物体自身热辐射，通过科学仪器观察可见光波段外的物体图像的技术，他的核心技术是传感技术。

红外热成像技术可以分为制冷型和非制冷型两种，与制冷型技术相比，非制冷型红外热成像技术凭借更高的可靠性、更低的价格和体积小，重量轻，功耗低等优势在近几年来得到了飞速的发展，在国防建设和民事应用上都占据了十分重要的地位。

非制冷红外热成像的核心技术是传感技术，通过热传感器将物体的热辐射转变为温度变化，最后通过热敏元件变为电流变化来采集物体数据。

常用的是电阻型微测辐射热计，他吸收红外热辐射，自身温度变化引起电阻值变化。

在采集数据时，为探测器供电电源的电流变化以及探测器基本噪声也会产生数据错误，为了提高采集数据的准确性，提高红外热图像的清晰度，设计了一个低温度系数高电源抑制比的基准电压源。

二、国内外研究现状 带隙基准结构是在1973年被美国人Wilder发明的，它具有结构简单、与CMOS工艺兼容、初始精度高、集成规模大、价格便宜等特点，在电路应用中十分广泛。

自带隙结构发明以来，人们对它的结构和性能进行了多方面的研究，其主要集中在一下几个方面： （1）低功耗的研究。

一方面工艺上晶体管尺寸的减少，降低的整体电路的功耗；另一方面在电路结构上采取了亚阈值的做法，降低整体功耗。

（2）高电源抑制比的研究。

在一些高精度系统中，带隙基准的高电源抑制比对系统的 性能有重要的影响。