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双栅极晶体管型光电传感器的设计开题报告

 2022-01-14 21:09:47  

全文总字数:2548字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

双栅级mosfet相对于传统单栅级mosfet在高速度,低功耗方面有更加优良的性能,,近年来人们对于双栅级mosfet的研究更加重视。双栅mosfet是类似于金属 - 绝缘体 -硅 - 绝缘体 - 金属的器件,利用其独特的结构和高载电子迁移率,可以有效抑制闩锁效应,减少源漏漏电流,提高短沟道效应和热载流子提高设备的电流驱动能力和抗辐射能力。

国内外研究现状

由于多种电子部件的集成密度的改进,导致半导体工业经历了快速成长。通常,这种集成密度的改进源于缩小半导体工艺节点。当半导体器件按比例减少时,需要新技术从一代到下一代维持电子部件的性能。

传感器当下的发展方向,向高精度方向发展,向高可靠性,宽温范围发展,向微型化发展,向模糊识别方向发展。

对于新型器件双栅mosfet的研究在国内外深入进行,基本的双栅mosfet结构基于soi材料和器件结构。mos结构的光电特性在一维方向上的研就较多也较深入,但在二维方向上全面的研究则较少。

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2. 研究的基本内容

以mosfet所设计的光电传感器,研究其作为mos结构的侧向光伏和双极性电阻效应。

一方面,通过mos结构制造工艺的改进获得更强的光电效应。

另一方面,通过检测手段和方式的提高获得mos结构更全面的数据分布图,并以此为根据分析其作为各种光电器件的应用前景和方向。

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3. 实施方案、进度安排及预期效果

2018.12-2019.01完成毕业设计任务书、开题报告;

2019.01-2019.02确定系统整体方案

2019.02-2019.03了解comsol系统操作,确定操作过程

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4. 参考文献

[1]han l, song k, mandlik p, wagner s. appl phys lett2010;96:042111-1–1-3.

[2]striakhilev d, nathan a, vygranenko y, servati p,lee ch, sazonov a. j display technol 2006;2:364–71.

[3]gleskova h, wagner s, suo z. j non-cryst solids2000;266–269:1320–4.

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