1. 毕业设计（论文）的内容和要求

层状过渡金属硫属化合物（tmdc）是类石墨烯材料家族的重要成员，其中二硫化钼（mos₂）薄膜是tmdc材料中的研究热点。研究表明，随着mos₂层数的减少，其能带结构由间接带隙变为直接带隙。这种带隙上的转变使单层mos₂具有优异的光学和电学性能。因此，二硫化钼薄膜在纳米晶体管领域拥有很广阔的应用空间。本课题从原子尺度出发，利用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统的研究二硫化钼薄膜的表面能，探讨薄膜厚度与表面能之间的关系，并讨论二硫化钼薄膜与水的相互作用。

本次论文的内容为：

（1） 查阅中外文资料15篇以上，了解超薄mos₂薄膜的结构特点以及如何利用第一性原理的方法研究mos₂的表面能以及能带结构。

2. 参考文献

1. k. f. mak, c. lee, j. hone, j. shan and t. f. heinz, atomically thin mos₂: a new direct-gap semiconductor. phys. rev. lett., 105, 136805, 2010.

2. s.-l. li, h. miyazaki, h. s. song, h. kuramochi, s. nakaharai and k. tsukagoshi, quantitative raman spectrum and reliable thickness identification for atomic layers on insulating substrates. acs nano, 6(8), 7381, 2012.

3. s.-l. li, k. wakabayashi, y. xu, s. nakaharai, k. komatsu, w.-w. li, y.-f. lin, a. aparecido-ferreira and k. tsukagoshi, thickness-dependent interfacial coulomb scattering in atomically thin field-effect transistors. nano lett., 13(8), 3546, 2013.

3. 毕业设计（论文）进程安排