基于0.35um的非制冷热成像芯片电压偏置电路研究开题报告
2020-04-29 19:03:44
1. 研究目的与意义(文献综述包含参考文献)
一、课题背景目的及意义 红外热成像技术是一种利用物体自身热辐射,通过科学仪器观察可见光波段外的物体图像的技术,他的核心技术是传感技术。
红外热成像技术可以分为制冷型和非制冷型两种,与制冷型技术相比,非制冷型红外热成像技术凭借更高的可靠性、更低的价格和体积小,重量轻,功耗低等优势在近几年来得到了飞速的发展,在国防建设和民事应用上都占据了十分重要的地位。
非制冷红外热成像的核心技术是传感技术,通过热传感器将物体的热辐射转变为温度变化,最后通过热敏元件变为电流变化来采集物体数据。
2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案
本课题主要是设计一种低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源。
一、主要研究内容 1、介绍带隙基准电压源的工作原理 2、介绍带隙基准电压源的技术指标 3、分析几种经典结构的带隙基准 4、分析cmos基准电压源的误差来源及温度补偿方法 5、设计出低温度系数高电源抑制比的带隙基准电压源 二、拟采用的研究手段 (1)对带隙基准电压源的工作原理进行深入的探讨,分析和比较几种经典结构的带隙基准电压源,设计出低温低系数高电压抑制比的带隙基准电压源的带隙核心部分。
(2)深入分析影响带隙基准电压源性能的误差因素,分析带隙基准电压源高阶温度补偿的方法,设计出带隙基准电压源的动态阈值mos管温度补偿电路。