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1. 毕业设计（论文）的内容、要求、设计方案、规划等

基于浅槽隔离技术的ldmos（sti-ldmos）因其良好的兼容性和相比locos-ldmos更优的电学性能而成为0.18m及以下工艺中最常见的ldmos结构。

由于这种ldmos作为输出管时其面积很大，可以直接用于静电泄放（esd）防护，因此，通常会要求其有一定的esd自保护能力。

在0.18m及以下工艺中，sti结构的引入对ldmos在esd冲击下的响应产生了新的影响。

2. 参考文献（不低于12篇）

1.esd scalability of ldmos devices for self-protected output drivers, yong chung, hongzhong xu, richard ida, won-gi min, bob baird, international symposium on power semiconductor devices ics, 2005:351-354

2.a review of electrostatic discharge(esd) in advanced semiconductor technology steven h.voldman microelectronics reliability, 2004 44:33-46

3.break-through of the trade-off between on-resistance and esd endurance in ldmos naohiro suzuki,hitoshi yamaguchi,satoshi shiraki,international symposium on power semiconductor devices ics, 2005 may 23-26