基于AgNW的透明导电薄膜的性能优化文献综述
2020-07-01 20:53:49
随着时代的进步和高新技术的发展,各类的电子产品也处于不断的更新换代,而透明电极被广泛应用于太阳能的电池[1-3]、触摸屏[4-5]、有机发光二极管(OLED)[6-8]等电子器件中。
人们对于透明导电薄膜的需求正在日益增加。
作为传统透明导电材料的铟锡氧化物(ITO),在90%以上的透过率(T)下,该材料方阻(Rs)小于100 Ω/sq[9-10],透光导电综合性能优异,但是其柔性较差[11],并且还面临着价格昂贵[12]、资源短缺等问题,所以科学家们一直在寻找一种新型材料来替代ITO。
作为纳米材料的典型代表,银纳米线(AgNW)薄膜由于在电学、光学和机械性能方面上都有良好的特性,受到了科研工作者的广泛关注。
用其制作的AgNW透明电极具有综合成本更低[13]且柔性好、可弯曲折叠[14-15]等特点。
液相多元醇法制备AgNW的工艺相对简单且成本低廉,适合大规模生产[16-17];大面积AgNW透明电极的低成本制备技术在不断推进[18]。
银纳米线的制备方法分为物理法和化学法两大类。
物理法包括机械粉碎、磁控溅射、超声波粉碎以及模板制备等方法。
化学法包括水热合成法、光化学还原法、电化学法、超声波还原法、模板法和种子诱导法等。
绝大部分物理法工艺比较复杂,对于技术水平的要求较高,并且比较耗费人力物力,得到的产物粒度均匀性差,质量较低。