1. 毕业设计（论文）的内容和要求

1.基于突触功能模拟的忆阻器的研究历程及意义； 2.阅读忆阻器相关文献资料进行调研的综述（10篇左右）； 3.根据任务书的任务及文献调研结果，初步拟定的实施方案（含具体进度计划）； 4.主要针对关于忆阻器关于突触模拟的基本的功能仿真进行实验分析实验结果； 5.整理实验数据，撰写毕业论文。

2. 参考文献

1. Jo, S. H. et al. Nanoscale memristor device as synapse in neuromorphic systems. Nano Lett. 10, 1297#8211;1301 (2010). 2. Linares-Barranco, B. amp; Serrano-Gotarredona, T. Memristance can explain spike-time-dependent-plasticity in neural synapses. Nature precedings 1, 1#8211;4 (2009). 3. Prezioso, M. et al. Training and operation of an integrated neuromorphic network based on metal-oxide memristors. Nature 521, 61#8211;64 (2015). 4. Mahowald M. amp; Douglas, R. A silicon neuron. Nature 354, 515#8211;518 (1991). 5. Lai, Q. et al. Ionic/electronic hybrid materials integrated in a synaptic transistor with signal processing and learning functions. Adv. Mater. 22, 2448#8211;2453 (2010). 6. Ohno, T. et al. Short-term plasticity and long-term potentiation mimicked in single inorganic synapses. Nat. Mater. 10, 591#8211;595 (2011). 7. Strukov, D. B., Snider, G. S., Stewart, D. R. amp; Williams, R. S. The missing memristor found. Nature 453, 80#8211;83 (2008). 8. Yu, S. et al. A Low Energy Oxide-Based Electronic Synaptic Device for Neuromorphic Visual Systems with Tolerance to Device Variation. Adv. Mater. 25, 1774#8211;1779 (2013). 9. Wang, Z. Q. et al. Synaptic Learning and Memory Functions Achieved Using Oxygen Ion Migration/Diffusion in an Amorphous InGaZnO Memristor. Adv. Funct. Mater. 22, 2759#8211;2765 (2012).

3. 毕业设计（论文）进程安排

1、启动阶段（2016年12月23日前）：公布工作计划、确定指导教师、申报毕业设计（论文）题目，学生选题，任务书下达，指导学生查阅文献，做好开题前期工作。2、开题阶段（2017年1月13日前）：在广泛查阅资料的基础上，完善课题研究方案，完成外文翻译、文献综述和开题报告等工作，组织开题论证和初期检查工作。3、实施阶段（2017年6月2日前）：进行课题的实验、设计、调研及结果的处理与分析等，完成毕业设计说明书或论文写作，进行毕业设计（论文）的审阅和修改完善；中期检查：将根据学校期中教学质量检查的有关文件通知执行。4、答辩及录入成绩阶段（2017年6月14日前）：完成毕业设计（论文）的答辩资格审查、答辩、成绩评定及成绩输入工作。5、评价阶段（2017年7月7日前）：完成毕业设计（论文）教学质量的分析、总结和评优工作，做好材料的收集、整理和归档工作，同时将毕业设计（论文）工作总结提交教学事务部实践科备案。