1. 毕业设计（论文）的内容和要求

cualsns4(cats)具有与cu2sns3(cts)迥异的复杂晶体结构，但应有较低的本征热导率，如果能通过掺杂提升其电输运性质，有望获得较高的热电性能，而该研究尚为空白。

本课题将参考单晶 合成文献，摸索单相粉体合成方法并制备致密多晶块体，测定变温电导率和塞贝克系数，分析电输运特点；通过al位或者cu位掺杂，考察对电输运特性变化并分析其机理；评价该材料作为热 电材料的价值和前景。

1.了解热电材料研究背景、工作原理，以及代表性热电材料及cats体系的研究进展； 2.掌握cats晶体结构、能带结构等基本特性，理解掺杂作用； 3.学会相关设备仪器的操作和使用、数据采集以及数据分析； 4.掌握固相反应法制备材料的原理与常用工艺优化手段； 5.理解半导体材料的基本物理理论，并尝试分析实验结果的物理机理。

2. 参考文献

1. L. Garbato, A. Geddo-Lehmann, F. Ledda. Growth and structural properties of quaternary copper thiostannates.Journal of Crystal Growth,114(3),299(1991). 2.Y.T. Zhai, S.Y. Chen, J.H. Yang, H.J. Xiang, et al. Structural diversity and electronic properties of Cu2SnX3 (X = S, Se): A first-principles investigation. PHYSICAL REVIEW B 84, 075213 (2011); 3. Ch Raju, M. Falmbigl, P. Rogl, P. Heinrich et al.Thermoelectric properties of Zn doped Cu2SnSe3. Materials Chemistry and Physics 147 1022(2014);

3. 毕业设计（论文）进程安排

1、开题阶段（2015年1月15日前）：在广泛查阅资料的基础上，完善课题研究方案，完成外文翻译、文献综述和开题报告等工作。

2、实施阶段（2016年6月7日前）：（1）第二学期开学-4月17日，完成Sn位0~10%掺杂材料的单相合成、致密块体制备的条件探索，并获得适于测试要求的各种试验样品；（2）5月8日前，完成各样品的热电性能测试和分析；（3）5月22日前，完成数据分析与补充数据；（4）6月7日前，完成毕业论文写作，进行毕业设计（论文）的审阅和修改完善，并准备毕 业答辩； 3、答辩阶段, 2015年6月14日前完成。