1. 毕业设计（论文）主要内容：

与同等硅器件相比， 碳化硅（SiC）MOSFET具有更小的结电容和导通电阻，可以实现10 倍以上的开关速度。因此，基于SiC 器件的电力电子系统往往有更高的系统效率和功率密度。但在电力电子系统中，SiC MOSFET 的开关特性易受系统杂散参数的影响，表现为电磁能量脉冲形态属性的非理想特性， 并进一步影响系统效率和可靠性。分析SiC MOSFET开关瞬态过程，设计MOSFET驱动电路。

2. 毕业设计（论文）主要任务及要求

任务要求：

1．查阅相关文献，不少于15篇，其中英文至少3篇；翻译相关外文资料英文字符不少于15000个。了解mosfet及其驱动的发展经历及趋势，认真撰写开题报告。

2．分析sic mosfet开关瞬态过程，设计mosfet驱动电路。

3. 毕业设计（论文）完成任务的计划与安排

时间安排：

1-2周查阅相关文献资料；

3-4周撰写开题报告，

4. 主要参考文献

[1] zhang z, dix j, wang f, et al. intelligent gate drive for fast switching and cross-talk suppression of sic devices[j]. ieee transactions on power electronics, 2017, pp(99):1-1.

[2] mukunoki y, nakamura y, horiguchi t, et al. characterization and modeling of a 1.2-kv 30-a silicon-carbide mosfet[j]. ieee transactions on electron devices, 2016, 63(11):4339-4345.

[3] 王旭东, 朱义诚, 赵争鸣,等. 驱动回路参数对碳化硅mosfet开关瞬态过程的影响[j]. 电工技术学报, 2017, 32(13):23-30.

[4] 龙根, 罗志清, 查明,等. 100khz低频功放sic mosfet串扰分析与驱动设计[j]. 电力电子技术, 2017(8):34-36.