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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

雷电过电压，也称外部过电压，主要发生在云与云、云与地、云与天空之间是由于雷云内部不同部位中积累了极性相异的电荷，它们之间产生的电场，使得雷云在垂直方向上形成了两个极性不同、但电荷量相同的电荷中心。

不同的雷云之间的电荷量也不同，能产生的雷电过电压甚至可以高达一亿伏特，持续时间却很短，才几十微秒，具有脉冲特性，所以也称为雷电冲击波。

雷电压能够在瞬间猛烈释放，造成人员伤亡、财产损失以及设备、设施破坏，特别是对于现代社会快速发展的电子、电信行业，雷电危害造成的直接经济损失及间接经济损失和社会影响严重妨碍了电子、电信行业的发展。

2. 研究的基本内容

针对雷电过电压导致晶体管器件发生损坏的问题，通过对局部电流集中产生的过热点会使晶体三极管二次击穿的现象进行理论分析，采用雷电组合波发生器模拟雷电过电压冲击四种不同型号的晶体管的实验方法，设计四组在不同情况下对晶体管进行组合波冲击的实验，分别是在无任何保护的情况下、瞬态抑制二极管（TVS）并联保护的情况下、实际的基础放大电路中的无任何保护的情况以及TVS管并联保护的情况下进行实验。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

1、2018年3月1日~2018年3月31日：进行实验。

2、2018年4月1日~2018年4月20日：完成初稿，并根据都是意见进行修改。

3、2018年4月21日~2018年5月11日：完成外文翻译，论文定稿、打印、送审，准备答辩。

4. 参考文献

1wunsch d c,bell r. r. determination of threshold failure levels ofsemiconductor diodes and transistors due to pulse voltage.ieee trans nuclsci,1968,15(6):244.

2hane k, mogi m, suzuki t. influence of an external resistor on secondbreakdowns in epitaxial planar transistors. ieee trans electron devices, 1979.26(2): 157.

3tasca d m. pulse power failure modes in semiconductors. ieee trans nuclsci,1970,17(6):364.

4grutchfield h b, moutoux t j. current mode second breakdown inepitaxial planar transistors. ieee trans electron devices,1966. 13(111): 743.