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毕业论文网 > 文献综述 > 化学化工与生命科学类 > 化学工程与工艺 > 正文

ZnIn2S4/g-C3N4复合材料的制备及光催化产氢性能研究文献综述

 2020-04-28 20:28:10  

文 献 综 述 1.1 引言 随着全球绝大多数发展中国家工业化进程的加快,加快了传统能源的耗竭速度,同时还排放出大量的SO2、CO2、NOx和烟尘,给生态环境造成极大破坏。

开发清洁可持续的新能源迫在眉睫[1-5]。

太阳能、风能、地热能、海洋能、生物质能等可再生能源的研发迅速展开,其中利用光催化技术将太阳能转化为清洁的氢能源十分具有吸引力。

因此半导体光催化技术引起了世界范围广大科研工作者的极大兴趣。

1.2 光催化技术 半导体光催化技术开始于1972年,从Fujishima和Honda[6]首次报道TIO2修饰的电极可以在紫外光照条件下分解水制取氢气和1976年Carey等人[7]采用TIO2粉末材料光催化降解多氯联苯有机污染物以来,半导体光催化材料的合成、改性、应用和催化机理得到了广泛的研究和迅速发展。

每个光催化反应都包含三个过程:光吸收、生成与分离光生电子-空穴对和表面催化反应。

因此,想要提高光催化的性能,就需要对光催化的反应过程进行改进。

TIO2作为最主要的半导体光催化剂,虽然在很多方面展现了很好的性能,例如净化空气、合成有机燃料等等,但是,TIO2的禁带宽度约为3.2ev,对应的光吸收的波长为387nm,这就表明只有太阳光中的紫外光才可以被用作激发生成光生电子-空穴对。

这就使得TIO2这个半导体光催化剂不能得到广泛的应用。

近几年来,开发在可见光下有响应并且禁带宽度较窄的光催化材料成为了全球科研人员的研究热点。

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