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GaAs中广延缺陷的拉曼散射研究任务书

 2020-04-28 20:29:09  

1. 毕业设计(论文)主要内容:

1)熟悉gaas材料及拉曼散射的相关知识。

2)掌握lo声子-等离子体耦合模理论并进行模拟分析。

3)根据lo声子-等离子体耦合模理论对gaas广延缺陷区域的拉曼光谱进行拟合分析,求解载流子浓度及迁移率并进行分析。

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2. 毕业设计(论文)主要任务及要求

1、查阅不少于15篇的相关资料,其中英文文献不少于3篇,完成开题报告。

2、熟悉lo声子-等离子体耦合模理论并进行模拟分析;

3、对gaas广延缺陷区域的拉曼光谱进行拟合分析,求解载流子浓度及迁移率。

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3. 毕业设计(论文)完成任务的计划与安排

第1-3周查阅相关文献资料,明确研究内容,学习相关基础知识,确定方案,完成开题报告。

第4-5周:学习半导体中lo声子-等离子体耦合模理论。

第6-9周:对gaas中的lo声子-等离子体耦合模进行模拟分析。

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4. 主要参考文献

[1] a.mooradian, and g. b. wright. observation of the interaction of plasmons withlongitudinal optical phonons in gaas[j]. physicalreview letters, 1966,16(22):999-1001

[2] f. chen, y. zhang, t. h. gfroerer, a. n. finger, m. w. wanlass. spatial resolution versus dataacquisition efficiency in mapping an inhomogeneous system with speciesdiffusion[j]. scientific reports, 2015, 5(1):10542

[3]m. chafai, a. jaouhari, a. torres, et.al. raman scattering from lo phonon-plasmon coupled modes and hall-effect in n-type silicon carbide 4h–sic[j]. j. appl. phys., 2001, 90(10):5211-5214

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