1. 研究目的与意义（文献综述）

gaas作为一种重要的半导体材料，近年来受到广泛关注。用砷化镓制成的半导体器件具有电子迁移率大、高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。gaas曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管以发射微波。此外，gaas可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。美国研究人员研发出一种可批量生产砷化镓晶片的技术，克服了成本上的瓶颈，从而使砷化镓这种感光性能比硅更优良的材料，有望大规模用于半导体和太阳能相关产业。

半导体材料的载流子浓度和迁移率使其器件应用中的基本参数，在器件设计设计和性能优化等方面起决定性作用，因此获得这两种参数十分重要。通常，可以通过测量样品的霍尔效应来得到材料的载流子浓度和迁移率，但由于半导体中存在反霍尔效应，使得利用霍尔效应来测量空穴浓度十分困难。近年来提出了一种新的研究方法，可以通过测量和分析gaas中等离子体激元和lo声子形成的耦合模来测量其载流子浓度和迁移率。

2. 研究的基本内容与方案

基本内容：

（1）学习半导体中lo声子-等离子体耦合模理论

3. 研究计划与安排

第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，学习相关基础知识，确定方案，完成开题报告。

第4-5周：学习半导体中lo声子-等离子体耦合模理论。

第6-8周：模拟分析gaas中低阻尼和高阻尼条件下的lo声子-等离子体耦合模的特性，对阻尼条件进行解析分析和总结 。

4. 参考文献（12篇以上）

[1] 李国华，马宝珊，王文杰，等．gamnas合金中等离子体激元—lo声子耦合模的拉曼光谱研究[j]．光散射学报，2006，18（2）：106-113．

[2] 马宝珊，王文杰，苏付海，等．gamnas的raman光谱研究[j]．红外与毫米波学报，2006，25（3）：207-212.

[3] 李志锋，陆卫．氮化镓薄膜中lo声子-等离子体激元耦合模拉曼光谱研究[j].红外与毫米波学报 ，2003，1：8-12.