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毕业论文网 > 文献综述 > 电子信息类 > 光电信息科学与工程 > 正文

高质量MoO3纳米线的制备及光电性能研究文献综述

 2020-04-18 20:46:25  

一、选题目的和意义 随着科学技术快速发展,人们对便携式、轻量化、健康化及大面积兼容的电子设备不断追求,促使其相应的电子元器件向着低成本、高质量、大面积制造等方向发展。

近些年来,为了实现光电探测的便携化和可移植化,高质量的光电探测器设计与制备受到了研究人员的广泛关注。

一维无机纳米材料具有高的长径比,各向异性特点明显。

其独特的电子限域作用有利于电子和空穴能态保持分离,能有效延长载流子寿命,展现出优秀的光电特性。

同时,线性的几何结构,使得对外力具有很好的弹性,导致在发生形变后,材料表面不会产生裂纹。

这些特点都使得一维无极纳米线材料适用于微型柔性光电器件的设计和制备[1]。

二、三氧化钼(MoO3)薄膜的研究进展与现状 自从1991年发现碳纳米管以来,一维纳米材料由于其在基础理论研究和潜在应用技术上的重要性,引起人们极大的兴趣[2]。

特别是一维过渡金属氧化物纳米材料,因其具有特殊的光学、磁学和电学特性而备受关注[3]。

目前研究人员已经成功制备了单质、氧化物、硫化物、氮化物等多种类型的一维纳米结构[4]。

这种独特的结构使其具有极大的比表面积、极高的机械强度、可调的导电性、良好的化学稳定性[5]。

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