1. 研究目的与意义（文献综述）

自20世纪四五十年代计算机的问世与发展以来，存储器成为了计算机中一大核心结构，此后，存储技术的每一次飞跃都造就了计算机和电子事业的巨大革命。而且现代科技的发展和人们对生活质量的需要越来越对存储器的性能提出了更高要求。

1965年，gordon moore提出了著名的moore定理，即在一定面积大小的区域里的晶体管的数目会每过约18个月就会翻一倍，性能也会得到相应的提升，一直以来，存储器的发展总是符合moore出的预言，单位体积的容量不断地增加，性能不断地提升，例如目前最主流的flash存储器，因为其优秀的存储密度、便携性、非易失性，占据了现今非易失性存储器市场的主导地位[1][2]，技术也已经十分成熟，但同时，存储器的发展已经遇到了技术瓶颈，面临着小型化的极限，目前的技术已经很难在越来越小的单元内维持足够的电荷，flash存储器使用的就正是传统的浮栅型存储器结构，是以存储单元中电位的高低进行二进制数据“0”和“1”的存储，但擦写信息时却不能以存储的最小单元进行擦写，需要对一整块区域进行擦写操作，即一整页（page），由于其擦写操作的页的具体大小受限，flash存储器的写入时间相对较长，更不能选择性擦除，故在读写速度提升方面收到了很大限制[3]。

flash存储器使用的浮栅结构本身的特点，使之最终将面临发展瓶颈，所以目前需要一种新型的非易失性存储技术，使得它在纳米级别的尺寸下性能不会有太大限制，以更好地促进存储器小型化进程的发展。人们为此进行了很多的探究工作，其中，相变存储器(pcpam)是现代的一种基于相变材料的新型存储器，相比于原有传统的信息存储器，相变存储器具有十分突出的优势，例如擦写速度快、成本低、功耗小、存储密度大等等，因此，相变存储器有望成为下一代功能优异的非易失性存储器[4][5][6][7][8][9]。

2. 研究的基本内容与方案

基本内容：

采用磁控溅射的方法制备过渡金属如zn、ti等掺杂的sn2se3薄膜，研究并优化薄膜材料的制备工艺。利用x射线电子能谱分析仪、sem、四探针电阻测试仪等设备，研究过渡金属元素掺杂对材料的微结构、电学性质等方面的改变；并尝试不同浓度过渡金属掺杂对材料产生的电性能影响，探究掺杂的sn2se3薄膜材料作为相变存储器的前景，总结锌掺杂对sn2se3相变特性的影响规律。

目标：

3. 研究计划与安排

第1-3周：查阅相关文献资料，明确研究内容，准备实验原材料以及熟悉制备和测试设备。完成开题报告。

第4-6周： 熟悉实验仪器的使用，准备实验材料。

第7-10周：制备实验样品，测试薄膜微结构，调整实验工艺

4. 参考文献（12篇以上）

[1] 陈婧. 纳米尺度下锗锑碲相变材料制备及光电性质[d]. 南京: 南京大学, 2014.

[2] 王权. ge(ii)化合物的合成和作为相变存储材料前驱体的性能研究[d]. 无锡: 江南大学, 2015.

[3] 唐时宇. 掺杂的锑碲和锗碲相变薄膜的制备与性能研究[d]. 南京: 南京大学, 2014.