1. 毕业设计（论文）的内容和要求

2d材料因为其独特的量子和表面效应受到研究者们的广泛关注。

近些年来出现了大量关于二维材料mos2的性质及器件研究的相关报道。

本课题针对mos2基晶体管（transistor或tft或fet）的研究进展进行综述。

2. 参考文献

1. Sujay B. Desai, et al. Science 354, 6308, 2016. 2. Dominik Lembke, et al. ACS Nano 6, 10070, 2012. 3. Han Liu, et al. ACS Nano 6, 8563, 2012. 4. Jen-Ru Chen, et al. Nano Lett, 13, 3106, 2013. 5. Giovanni A. Salvatore, et al. ACS Nano 7, 8809, 2013. 6. Qiyuan He, et al. Small 8, 2994, 2012. 7. Hai Li, et al. Small 8, 63, 2012. 8. X. R. Wang, Chin Phys B, 22, 098505, 2013. 9. Saptarshi Das, et al. Nano Lett, 13, 100, 2013. 10. Dongsuk Lim, et al. Nanotechnology, 27, 225201, 2016. 11. Debtanu De, et al. Nanotechnology, 24, 025202, 2013. 12. Qing Tang, et al. Progress in Materials Science, 58, 1244, 2013. 13. Jiahao Kang, et al. Appl Phys Lett, 104, 093106, 2014.

3. 毕业设计（论文）进程安排

2017年1月13日前，完成开题。

2017年2月20日-3月20日，完成相关文献调研。

2017年3月20日-4月30日，完成论文初稿。