1. 研究目的与意义（文献综述）

近20年来，薄膜科学发展迅速，在制备技术、分析方法、结构观察和形成机理等方面的研究都取得了很大的进展。

薄膜是一种物质形态，其膜材十分广泛，单质元素、化合物或复合物，无机材料或有机材料均可制作薄膜。

其中无机薄膜的开发和应用更是日新月异，十分引人注目。

2. 研究的基本内容与方案

2.1 基本内容
碳化硅（Silicon Carbide,SiC）是一种宽禁带的半导体材料，具有低密度、高硬度、高热导率、高击穿电场强度、高载流子饱和漂移速度、高抗热震性，优异的抗氧化性能等优点。基于SiC的半导体器件是未来高功率，超高工作温度的半导体器件的首选材料之一。本论文将采用磁控溅射（Magnetron Sputtering,MS）制备技术，在Si衬底上沉积SiC纳米薄膜，并对SiC薄膜的结晶性，沉积速率，微观形貌进行研究。
2.2 目标
将SiC薄膜沉积在Si(111)表面，研究磁控溅射各参数对薄膜生长的影响，并对SiC薄膜的晶体结构，微观形貌等进行测试研究。。
2.3 技术方案
此制备实验具体步骤为：
（1）将Si（111）放在石英管纯度为99.999%的氮气保护加热，自然，退火至室温后取出，放在无水丙酮中超声震荡15-30分钟，取出烘干，然后放在去离子水中清洗，放在100-300℃的炉子中烘干，将处理过的Si（111）分散放置真空室的固定架上，将纯度大于95%的SiC靶安装在真空室内的磁控溅射源上，调节靶头与连接轴，使靶头与水平面之间的角度为45°，关闭真空室；
（2）抽真空，使真空室内的真空度为1×10-3Pa-5×10-4Pa，达到高真空状态；
（3）在高真空状态下的真空室内通入纯度为99.999%的Ar，使真空室气压为0.2-10Pa，打开射频电源，溅射0.25-3小时；
（4）溅射完成一面之后，在Si（111）的另一面按照上面同样的方法溅射SiC纳米薄膜，得到表面具有均匀SiC纳米薄膜的Si（111）
总体制备实验流程如上所示，在制备获得镀有SiC纳米薄膜的Si（111）过程中对磁控溅射的各参数调整多次重复进行实验，观察薄膜生长情况，对SiC薄膜的结晶性，沉积速率，微观形貌跟踪分析。

3. 研究计划与安排

第1－4周：查阅相关文献资料；在明确毕业论文研究内容的基础上撰写并提交开题报告；
第5－6周：学习并掌握相关理论知识及仪器操作，论文开题；
第7－12周：进入毕业论文环节，撰写论文初稿；
第13－16周：修改并提交毕业论文；
第17周：毕业论文答辩。

4. 参考文献（12篇以上）

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