1. 研究目的与意义（文献综述）

溅射镀膜的原理是稀薄气体在异常辉光放电产生的等离子体在电场的作用下，对阴极靶材表面进行轰击，把靶材表面的分子、原子、离子及电子等溅射出来，被溅射出来的粒子带有一定的动能，沿一定的方向射向基体表面，在基体表面形成镀层。

磁控溅射（magnetron sputtering, ms）是由二极溅射基础上发展而来，在靶材表面建立与电场正交磁场，解决了二极溅射 沉积速率低，等离子体离化率低等问题 ，成为目前镀膜工业主要方法之一 。

磁控溅射与其它镀膜技术相比具有如下特点：可制备成靶的材料广，几乎所有金属，合金和陶瓷材料都可以制成靶材；在适当条件下多元靶材共溅射方式，可沉积配比精确恒定的合金 ；在溅射的放电气氛中加入氧、氮或其它活性气体 ，可沉积形成靶材物质与气体分子的化合物薄膜；通过精确地控制溅射镀膜过程，容易获得均匀的高精度的膜厚；通过离子溅射靶材料物质 由固态直接转变为等离子态，溅射靶的安装不受限制，适合于大容积镀膜室多靶布置设计；溅射镀膜速度快，膜层致密，附着性好等特点，很适合于大批量，高效率工业生产。

2. 研究的基本内容与方案

2.1基本内容：
2.1.1 使用射频磁控溅射制备技术，以sic靶材为溅射源，在玻璃衬底上溅射沉积sic纳米薄膜，研究磁控溅射各参数对薄膜生长的影响。

2.2.2 对sic薄膜的晶体结构，微观形貌等进行测试研究。

2.2 目标：
研究在射频磁控溅射下不同工艺参数与sic薄膜生长情况、膜层性能的关系是贯穿本次研究工作的一个重要研究思路。

3. 研究计划与安排

第1周—第4周 搜集资料，撰写开题报告；
第5周—第6周 论文开题；
第7周—第12周 撰写论文初稿；
第13周—第16周 修改论文；
第17周 论文答辩。

4. 参考文献（12篇以上）

[1]叶志镇,王亚东,黄靖云,等[j].真空科学与技术,2000,22:58-56.

[2]atmal corp.atmel8- bit microcontroller at89c51(eng)[z].us, atmel, 2000.

[3]吴小昆,杨宇,吴兴惠.raman测量ge/si 多层膜中ge晶粒尺寸的理论研究[j].红外技术,2001,23(1):15.