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基于TCAD的HfO2基铁电材料电学性质分析任务书

 2020-04-29 19:55:54  

1. 毕业设计(论文)的内容和要求

#26412;#35838;#39064;#25311;#21033;#29992;TCAD#35843;#33410;HfO2#22522;#38081;#30005;#26448;#26009;#30340;#21442;#25968;#65292;#36890;#36807;#27169;#25311;#65292;#20998;#26512;#20854;#30005;#23398;#24615;#36136;#12290;#35838;#39064;#25311;#36890;#36807;#27169;#25311;#25506;#23547;#36866;#21512;#20110;#21046;#22791;NCFET#30340;#20171;#30005;#26448;#26009;#21442;#25968;#31383;#21475;#65292;#20026;#23454;#39564;#25552;#20379;#21442;#32771;#12290;#35201;#27714;#23581;#35797;#22823;#37327;#21442;#25968;#36827;#34892;#27169;#25311;#12290;

2. 参考文献

1. Milan Pe歩? Stefan Slesazeck, Tony Schenk, Uwe Schroeder, Thomas Mikolajick, Phys. Status Solidi a, 213(2), 270-273, 2016. 2. Milan Pe歩? Franz Paul Gustav Fengler Luca Larcher Andrea Padovani Tony Schenk Everett D. Grimley Xiahan Sang James M. LeBeau Stefan Slesazeck Uwe Schroeder Thomas Mikolajick, Adv. Fun. Mater., 26(25), 4601-4612, 2016. 3. C. Tavernier, F. G. Pereira, et. al., 2015 International Conferenceon Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD),DOI: 10.1109/SISPAD.2015.7292244. 4. A. Spessot ; C. Caillat ; P. Fazan ; R. Ritzenthaler ; T. Schram, 2013 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), DOI: 10.1109/SISPAD.2013.6650587.

3. 毕业设计(论文)进程安排

2018.12-2019.02#65292;#25991;#29486;#35843;#30740;#65292;#32763;#35793;#65292;#24320;#39064;#25253;#21578;#65307; 2019.03-2019.04#65292;#27169;#25311;#20998;#26512;#24037;#20316;#65307; 2019.05-2019.06#65292;#35770;#25991;#25776;#20889;#65292;#31572;#36777;#12290;

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