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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

当今显示器件是平板显示的时代，绝大多数的平板显示器件，都是有源矩阵显示器件，如有源矩阵液晶显示(amlcd)和有源矩阵发光二极管显示(amolhd)。而以薄膜晶体管(tft)连接电容作为开关的有源矩阵显示器件具有较高的性能，能够实现全彩色、高清晰和大容量，这些优点使得tft驱动的平板显示技术成为了目前的主导技术。而其中的有源层材料和制备工艺是决定tft性能的关键因素之一。

传统的非晶硅tft迁移率较低，光敏性强；多晶硅tft制备工艺复杂；有机tft的寿命与迁移率都比较低。非晶金属氧化物容易在室温下制备，具有较高的场效应迁移率，较高的透过率，表面平整度高等特点，因此在柔性衬底上制备tft有着一定的优势。但其也有需要急需解决的问题，一是在室温下生长出的薄膜是多晶结构，这就大大降低了tft的整体性能。为此，便出现了非晶的氧化物半导体材料。2004 年，k.nomura等人研究出以单晶ingazno薄膜作为有源层的tft，这也是首次出现的非晶氧化物半导体tft，其用固相外延方法获得的tft 器件迁移率可达80 cm2v^-1 s^-1。其第二个问题，就是需要解决器件稳定性的问题，一方面需要提高器件的性能，另一方面为了增加器件的稳定性，为了达到这两方面的平衡就限制了如ingazno薄膜晶体管这样的非晶氧化物tft的应用。

2. 研究的基本内容

（1）通过查阅相关文献，了解制备znon的各种方法并着重掌握用脉冲激光沉积法制备znon的相关知识；熟知znon的各种表征方法和其光电学特性的一系列相关参数；

（2）在前期掌握实验知识的基础上，采用脉冲激光沉积法制备znon薄膜；

3. 实施方案、进度安排及预期效果

实行方案：

通过脉冲激光沉积法制备znon薄膜，利用x射线衍射仪(xrd)和紫外可见光分光光度计分别测试了znon薄膜的衍射图谱和透过率图谱，研究了znon薄膜的结构和光学特性。

4. 参考文献

[1] lee, s. et al. localized tail states and electron mobility in amorphous znon in film transistors. sci. rep. 5, 13467; doi:10.1038/srep13467 (2015).

[2] lee, e. et al. nanocrystalline znon; high mobility and low band gap semiconductor material for high performance switch transistor and image sensor application. sci. rep. 4, 4948; doi:10.1038/srep04948 (2014).

[3] nomura, k. et al. room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors. nature 432, 488–492 (2004).