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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

随着信息时代的迈进，信息显示技术发展的越来越好，场效应晶体管受到了各位科学家的关注，场效应晶体管(field effect transistor缩写(fet))简称场效应管。主要有两种类型(junction fet-jfet)和金属或者氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor fet，简称mos-fet)。由多数载流子参与导电也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。

具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用。

2. 研究的基本内容

1、zno的电学特性；

2、场效应晶体管的结构；

3、模拟的方法；

3. 实施方案、进度安排及预期效果

在3月20至4月10阅读文献

在4月10至4月25完成zno的仿真及数据分析

在4月26至5月15完成论文的撰写

4. 参考文献

[1]刘恩科, 朱秉升, 罗晋生等. 半导体物理学 国防工业出版社, 北京，(2009)

[2] won jun park, hyun soo shin, byung du ahn, et al investigation on doping dependency of solution-processsd ga-doped zno thin film transistorappl. phys. lett. 93, 083508(2008) [3] singh a v, mehra r m, wakahara a, et al. p-type conduction in codeped zno thin films. appl. phys., 2003,93(1):396-399

[4] s. liang, h. sheng, y-liu,et al. zno sehottky ultraviolet photodetecrors, j. cryst. growth. j. cryst. growth. 225(2-4), (2001)110