1. 研究目的与意义（文献综述包含参考文献）

随着时代的进步和高新技术的发展，各类的电子产品也处于不断的更新换代，而透明电极被广泛应用于太阳能的电池[1-3]、触摸屏[4-5]、有机发光二极管(oled)[6-8]等电子器件中。

人们对于透明导电薄膜的需求正在日益增加。

作为传统透明导电材料的铟锡氧化物(ito)，在90%以上的透过率(t)下，该材料方阻(rs)小于100 Ω/sq[9-10]，透光导电综合性能优异，但是其柔性较差[11]，并且还面临着价格昂贵[12]、资源短缺等问题，所以科学家们一直在寻找一种新型材料来替代ito。

2. 研究的基本内容、问题解决措施及方案

本课题采用溶剂热法制作银纳米线，并用刮涂法进行制膜，进一步研究退火温度、气氛等对银纳米线透明导电薄膜的透过率和导电性能的影响。

1. 溶剂热法合成银纳米线

实验步骤：首先将乙二醇在110℃的温度下用油浴锅蒸馏6h，得到含水量较少的乙二醇备用。取0.25g的硝酸银溶于5ml的乙二醇中，磁力搅拌至硝酸银全部溶解，搅拌过程中需要进行遮光处理，得到溶液1。再取0.2g的pvp（分子量为58000）溶于5ml的乙二醇中，磁力搅拌至pvp全部溶解，得到溶液2。将烧瓶放入油浴锅中160℃的条件下预热10分钟，然后取20ml乙二醇加入烧瓶，加热10分钟后，取300mm/l的nacl溶液加入烧瓶，磁力搅拌1分钟，再加入溶液1，磁力搅拌1分钟，接着加入溶液2，磁力搅拌5分钟。接上冷凝管进行冷凝回流1h，最后初步得到银纳米线溶液。