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MoS2导电薄膜的制备及物性研究文献综述

 2020-07-02 22:39:47  

自从Geim等人利用透明胶带技术对二维石墨烯进行机械剥落的开创性工作以来,石墨烯因其有趣的机械和电子性能而引起了广泛的关注。

[1] 然而,尽管具有奇特的特性和丰富的物理基础,但由于缺乏电子能带隙和石墨烯大面积生长的困难,研究人员开始探索新的二维材料,二维无机材料正在成为制造现代电子器件的首选材料。

如层状过渡金属硫化物(TMDs),像MoS2、MoSe2、WS2和WSe2 。

【11】 特别是2D MoS2由于其新颖的功能和适用性而正在被大量研究适用于各种电子和光电子应用。

【2】 过渡金属二硫族化合物是一类具有式MX2的材料,其中M是来自IV族(Ti,Zr,Hf等),V族(例如V,Nb或Ta)或过渡金属VI(Mo,W等),X是硫属元素(S,Se或Te)。

这些材料具有由弱耦合的夹心层X-M-X组成的晶体结构,其中M原子层被封闭在两个X层内,并且层中的原子被六边形填充(图1.1a)。

【12】相邻层之间通过van der Walls相互作用弱结合在一起,形成堆叠顺序和金属原子配位不同的多种多晶型块体(图1.1b)【4】。

过渡金属二硫族化合物的整体对称性是六角形或菱形的,并且金属原子具有八面体或三面棱柱配位。

【3】

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