铟镓锌氧薄膜晶体管的快速脉冲I-V表征任务书
2020-06-07 21:25:59
1. 毕业设计（论文）的内容和要求
铟镓锌氧薄膜晶体管具有迁移率高、关态漏电流低、均匀性好和制造成本低等优越特性，然而其器件的稳定性却成为了制约其应用的关键因素之一。本文拟采用快速脉冲i-v来表征在不同电应力下igzo tft器件的输出特性和转移特性曲线，由其得到阈值电压、载流了场效应迁移率、亚阈值摆幅和电流开关比等参数的变化，并在此基础上来研究器件的退化特性。最后比较采用快速测量与传统慢的测量方法得到结果的区别，同时研究和分析其中的物理机制。
要求：
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2. 参考文献
[1]王槐生. 薄膜晶体管器件在动态应力下的退化研究[d].苏州大学,2016.
[2]周大鹏. 非晶硅薄膜晶体管在栅漏电应力下的退化研究[d].苏州大学,2011.
[3]强蕾. 非晶半导体薄膜晶体管模型研究及参数提取[d].华南理工大学,2015.
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3. 毕业设计（论文）进程安排
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2016-12-1~2017-1-13 |
查阅资料，完成开题报告和外文翻译 |
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2017-2-1~2017-2-10 |
测量不同电应力下IGZO TFT器件的输出特性和转移特性曲线 |
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2017-2-11~2017-4-15 |
分析阈值电压、载流了场效应迁移率、亚阈值摆幅和电流开关比等参数变化原因，同时研究器件的退化特性 |
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2017-4-16~2017-5-20 |
比较采用快速测量与传统慢的测量方法得到结果的区别，并解释其中的物理机制 |
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2017-5-21~2017-6-2 |
毕业论文撰写，准备答辩 |
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