文 献 综 述 徐余辉 摘要：随着时代的发展，量子力学作为一门前沿物理学科，起到的作用越来越大，运用的范围越来越广。

小到日常生活中的电子器件、大到量子通信的发展，都与量子力学的发展息息相关。

异质结与半导体材料的性能密不可分，其本质就是量子力学中粒子在不对称势阱中的运动问题。

近年来，国内外专家对其进行了深入研究，并取得了丰硕成果。

本文在对这些成果进行系统总结的基础上，简要评析了总体研究现状，指出当前所遇到的问题和未来的研究趋势，以期为该领域的研究做出贡献。

关键词：不对称势阱、半导体材料、异质结 一、前言 粒子在不对称势阱中的运动问题，是量子力学研究过程中不可避免的基本问题。

势阱，指的是粒子在某力场中运动，势能函数曲线在空间的某一有限范围内势能最小，形如陷阱。

其就是电子的势能图像类似一个波的形状，那么当电子处于波谷，就好像处在一口井里，比较稳定，很难跑出来，所以称为势井或势阱。

而不对称势阱，则是指阱的两端势大小不同。

随着近几年半导体材料的研究进展，特别是一些新兴材料，如MoS 2 -WS 2,其材料复合面由于材质差异，就形成了异质结。