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1. 研究目的与意义及国内外研究现状

随着空间研究，粒子加速器，电子显微镜和电子信息技术的发展，二次电子发射运用于越来越多的领域。二次电子的原理在电子倍增管，光电倍增管，微通道板等侦测原件中也有广泛应用。除此之外，二次电子发射效应有时候也会带来校级影响，会导致很多真空电子器件的性能降低。因此，二次电子发射是很有前景的也是非常必要的研究领域。

国内外研究现状

现有诸多理论处理可以预测大部分的二次电子发射的特征，比如：二次电子发射系数δ随着原电子入射能Ep0的变化，但是大部分根据蒙特卡罗模拟的理论处理可以很好地预测函数相关性，但却不能预测发射强度，并且这些理论处理通常需要一个经验参数来描绘每一个二次电子发射器的δ曲线。即使对于最复杂的处理，没有换算参数，通过分析问题的复杂性也能发现几个最终需要比较来验证有效性的接近值。对于这样一个在理论和实验之间的比较或者对于许多实际应用情况下，一个最直接的严重问题是:应该选择哪个数据?在出版数据的编辑中，当你研究一个低水平的协议的时候这个问题就会显现出来，普通金属比如铝，在各种出版的系数之间,有10组独立的系数的不到25%的误差。例如，Al的δ最大值从0.95到3.4之间变化。

2. 研究的基本内容

实际功函数的变化对到达金属表面的二次电子溢出到真空的几率，从导带产生一个内二次电子的平均能量，非弹性平均逃逸深度和而二次电子发射系数的影响公式在本文的研究中被分别推导出来。

3. 实施方案、进度安排及预期效果

根据自由电子模型，受激电子和内二次电子的能量范围，金属的能带，现有的公式，二次电子发射的过程和特性，Ф_real的变化对B(Ф_real，E_F)，ε_c(Ф_real，E_F)，L(Ф_real，E_F)_mean和δ_m(Ф_real，E_F)的影响公式在本文的研究中被分别推导出来。通过推导，Ф_real的变化对δ_m(Ф_real，E_F)的影响公式可以用来估计Ф_real的变化对δ(Ф_real，E_F，E_p0)和δ_m(Ф_real，E_F)的影响。分析结果可推出λ(Ф_real，E_F)随着Ф_real的变化对δ(Ф_real，E_F，E_p0)和δ_m(Ф_real，E_F)随着Ф_real的变化比[B(Ф_real，E_F)/ε(Ф_real，E_F)]随着Ф_real的变化有更大的影响，并且在这个理论模型中B(Ф_real，E_F)随着Ф_real的增加而增加。在本文的研究中内二次电子的能量范围是0≤E≤50eV，E是从真空水平测量的。

4. 参考文献

阴极电子学，刘学悫

the influence of changes of real work function on secondary electron emission from metals