全文总字数：1641字

1. 研究目的与意义及国内外研究现状

目的：

1、求出肖特基接触反向偏置时的电子隧穿的一般解

2、明确地阐明三种肖特基反向隧穿电流不同模型之间的异同和使用范围

2. 研究的基本内容

1、研究肖特基接触反向偏置时的电子隧穿的一般特性

2、研究三种肖特基反向隧穿电流不同模型之间的对比

3. 实施方案、进度安排及预期效果

实施方案

收集肖特基接触反向隧穿电流研究相关资料，阅读并筛选归纳其中与肖特基接触反向隧穿电流相关的内容。勤于实践，刻苦钻研，跟着指导老师完成毕业论文相关的各个试验，做好笔记，增加学识；经常与指导老师联系并汇报与论文相关的工作进展，虚心听取指导老师的建议与意见；严格遵循科学研究规律，一步一个脚印，认真完成导师交给的任务。

进度安排及预期效果

4. 参考文献

1、曾树荣. 半导体器件物理基础.(2006) 北京大学出版社.

2、周世勋. 量子力学教程. (2009) 高等教育出版社.

3、卢卯旺. 粒子在任意势垒 中的隧穿: 转移矩阵法[j].零陵学院学报,2004,25(6):4-7.